[发明专利]将三维函数用于掩模规格制定的方法

权利要求书

1.一种将三维函数用于掩模规格制定的方法，用于在集成电路制造工艺中对掩模制作的规格加以限定，其特征在于采用三种参数控制掩模规格：MTT值，CDU值以及光学近似效应值，所述的方法包括下列步骤：

1)采集由于掩模误差而引起的晶片关键尺寸偏差数据，所述的误差包括掩模主图案特征的MTT值偏移，横向掩模CDU值以及不同掩模的光学近似效应表现值；

2)根据所采集的三方面数据在三维坐标系中绘制出掩模规格的函数曲面图，函数的表达式为：

晶片关键尺寸容忍度＝F(MTT，CDU，光学近似效应值)

3)根据步骤2)中得到的曲面函数判断掩模是否符合规格，测试数据在函数曲面包覆范围内的掩模为符合规格，反之则不符合规格。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括下列步骤：

在MTT值与CDU值构成的二维坐标系中，以所述三维函数与此二维平面相交的轮廓使三维函数二维化，成为MTT值与CDU值构成的二维坐标系中的二维函数；

以所述的二维函数作为掩模制作规则的制定标准，当掩模测试得到的MTT值与CDU值在所述二维函数规定的范围中时，掩模符合规格，反之则不符合规格。