[发明专利]清洗液配运装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种用于清洗晶片的清洗液配运装置。

背景技术

化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，简称CMP)技术是机械削磨和化学腐蚀的组合技术，化学机械抛光技术借助超微粒子的研磨作用以及浆料的化学腐蚀作用在被研磨的介质表面上形成光洁平坦平面，现已成为半导体加工行业的主导技术。化学机械抛光是集成电路(IC)向微细化、多层化、薄型化及平坦化工艺发展的产物，也是晶片向200mm、300mm乃至更大直径过渡、提高生产效率、降低制造成本及衬底全局化平坦化必备的工艺技术。举例来说，典型的逻辑器件包括七道内介质层CMP工序，七道金属CMP工序和一道浅沟槽隔离(STI)CMP工序。因此说，CMP工艺已经成为制备集成电路的半导体工艺的中枢技术。

一个完整的CMP工艺主要由抛光、后清洗和计量测量等操作组成。其中后清洗包括对晶片的清洗，也包括对化学机械抛光机各部件的清洗。后清洗工艺的目的是把CMP中的残留颗粒和沾污减少到可接受的水平。目前，CMP工艺的后清洗工艺主要涉及CMP工艺后的晶片清洗，例如，公开号为1604290的中国专利申请公开了一种用于化学机械抛光设备的清洗液配运装置，该清洗液配运装置可以在清洗时为化学机械抛光设备提供去离子水和化学试剂的混合液作为清洗液，但是，化学试剂价格昂贵，而且在化学机械抛光工艺前，晶片已经采用清洗液进行清洗过，而且晶片在后续的沉积薄膜工艺之前也会采用清洗液进行清洗，并且在形成薄膜之后进行光刻工艺之前也会采用清洗液进行清洗，甚至在整个工艺之后会对晶片的非半导体器件的表面即背面进行研磨，不需要对晶片的非半导体器件的表面即晶片的背面采用清洗液进行清洗。而现有技术中清洗液配运装置对晶片的半导体器件的表面和非半导体器件的表面均采用清洗液进行清洗，造成清洗液的浪费。下面参照附图1加以说明，所述清洗液配运装置由化学试剂源10、去离子水源20以及液体通路单元100组成，虚线框中的部分为清洗液液体通路单元100，液体通路单元100具有化学试剂输入端27a1、去离子水输入端27a2、第一清洗液输出端27b1和第一二清洗液输出端27b2。在液体通路单元100中，化学试剂输入端27a1通过液体通路27经由第一可调节流量计11和第一清洗液输出端27b1相连接；所述去离子水输入端27a2通过液体通路27经由第二可调节流量计21与第一清洗液输出端27b1相连接，所述的化学试剂输入端27a1与去离子水输入端27a2在分别经由所述第一可调节流量计11和第二可调节流量计21之后，还分别通过液体通路经由第一三通阀22的第一端和第二端对化学试剂和去离子水混合形成清洗液，混合后形成的清洗液通过液体通路27经由第一单向阀23之后与第二三通阀24的第一端相连接，并且通过第二三通阀24进行分流，分流后的清洗液的一支通过第二三通阀24的第二端与第一清洗液输出端27b1相连接，混合后形成的清洗液的另一支通过第二三通阀24的第三端经由第二控制阀32与第二清洗液输出端27b2相连接。在对晶片26的半导体器件的表面26a和非半导体器件的表面26b进行清洗时候，第一可调节流量阀11控制的化学试剂的流量为2ml/s，第二可调节流量阀21控制去离子水的流量为40ml/s，在第一三通阀22处进行混合后的清洗液的体积比为1∶20，经由第一清洗液输出端27b1和第一喷管25a输出的清洗液的总的流量为21ml/s，同时，经由第二清洗液输出端27b2和第二喷管25b输出的清洗液的流量为21ml/s，当不需要对晶片26的非半导体器件的表面26b采用清洗液进行清洗，或者换句话说，当仅需要对晶片26的非半导体器件的表面26b采用去离子水进行清洗的时候，采用现有的清洗液配运装置无法实现，且化学试剂的流量为2ml/s，消耗比较大，造成工艺成本增加。

发明内容

本发明解决的问题是现有的清洗液配运装置的成对清洗液输出端，每对清洗液输出端无法实现一个清洗液输出端输出清洗液，同时另一个清洗液输出端输出去离子水，造成清洗液的浪费。

为解决上述问题，本发明提供了一种清洗液配运装置，包括：去离子水源；化学试剂源；清洗液液体通路单元，所述清洗液液体通路单元具有：至少一个去离子水输入端，与去离子水源相连接；至少一个化学试剂输入端，与化学试剂源相连接；和一对或多对清洗液输出端，所述去离子水输入端与化学试剂输入端通过液体通路与每对清洗液输出端的第一清洗液输出端均相连接；所述去离子水输入端通过液体通路单元中的液体通路与每对清洗液输出端的第二清洗液输出端直接相连接。