[发明专利]一种提高监测晶圆利用率的方法有效
| 申请号： | 200610147706.6 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101206996A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 冯长青 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 监测 利用率 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高监测晶圆利用率的方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、对离子注入后的监测晶圆进行快速热退火处理；
B、设定电阻值范围；
C、以现有的测量方法得到监测晶圆的平均电阻值；
D、判断上述平均电阻值是否处于电阻值范围内，如果是，则证明快速热退火设备能正常进行退火工作，否则不能正常进行所述工作；
E、再重复执行步骤A～D三次，每次步骤B皆设置不同的电阻值范围。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤B第一次设置电阻值范围是229～237欧姆；步骤B第二次设置电阻值范围是200～208欧姆；步骤B第三次设置电阻值范围是186～192欧姆；步骤B第四次设置电阻值范围是174～180欧姆。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量方法包括以下步骤：
A1、将测量机器的四点探针扎在监测晶圆的表面；
B1、在探针上加一定的电流；
C1、测量探针上的电压值，进而计算出监测晶圆上四十九个不同点的电阻值，并取其平均值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
