[发明专利]CMOS图像传感器的像素单元的形成方法有效
| 申请号： | 200610147318.8 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101202246A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 杨建平;霍介光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/265;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 像素 单元 形成 方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器像素单元的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底分为第I区域和第II区域；
在第I区域的半导体衬底表面形成绝缘层，在第II区域的半导体衬底表面形成栅介质层；
在第II区域的半导体衬底表面形成多晶硅栅；
在第I区域进行深离子注入形成深掺杂阱；
同时在第I区域进行浅离子注入和在第II区域进行低掺杂源/漏离子注入；
在第II区域的半导体衬底中形成源/漏区。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器像素单元的形成方法，其特征在于：所述浅离子注入与低掺杂源/漏离子注入采用相同掩模版。
3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器像素单元的形成方法，其特征在于：所述浅离子注入的浓度峰值处在绝缘层中。
4.根据权利要求1至3任一项所述的CMOS图像传感器像素单元的形成方法，其特征在于：所述半导体衬底为p型。
5.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器像素单元的形成方法，其特征在于：所述深离子注入为n型离子。
6.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器像素单元的形成方法，其特征在于：所述n型离子为磷离子。
7.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器像素单元的形成方法，其特征在于：所述深离子注入的能量范围为100至400KeV，剂量范围为1.0E+12至1.0E+13cm-2。
8.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器像素单元的形成方法，其特征在于：所述浅离子注入的离子为硼离子。
9.根据权利要求8所述的CMOS图像传感器像素单元的形成方法，其特征在于：所述浅离子注入与低掺杂源/漏离子注入的能量范围为5至15KeV，剂量范围为2.0E+12至1.2E+13cm-2。
10.根据权利要求9所述的CMOS图像传感器像素单元的形成方法，其特征在于：所述绝缘层厚度范围为10至100nm。
11.根据权利要求10所述的CMOS图像传感器像素单元的形成方法，其特征在于：所述绝缘层为氧化硅、氮氧化硅或者它们的组合构成。
12.根据权利要求11所述的CMOS图像传感器像素单元的形成方法，其特征在于：所述绝缘层通过氧化或者化学气相沉积方法制备。
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