[发明专利]无等离子损伤的不着陆介层窗制程

权利要求书

1、一种半导体元件，其特征在于，包括：

一基底；

一图案化的金属配线层，提供于该基底上；

一第一氧化层，其厚度大于图案化的金属配线层的高度，位于该图案化金属配线层上和周围；

其中该第一氧化层包含氧和硅，其中硅原子对氧原子的比率超过1；以及

一第二氧化层，形成于该第一氧化层上。

2、如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，其中该图案化金属配线层包含铜、铝和金其中至少一种，该金属配线层还包括一阻挡金属层，该阻挡金属层包含钛和氮化钛其中至少一种。

3、如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，其中该第一氧化层为高密度等离子层。

4、如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，其中该第一氧化层为金属间介电层。

5、如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，其中该第一氧化层具有1.3到2.2的消光系数。

6、一种半导体元件，其特征在于，包括：

一基底；

一图案化的金属配线层，提供于该基底上；

一第一氧化层，具有平坦的表面，其位于该图案化金属配线层上和周围；

其中该第一氧化层包含氧和硅，其中硅原子对氧原子的比率超过1；

一第二氧化层，形成于该第一氧化层上；

该第一氧化层和第二氧化层共同具有一个厚度；以及

一不着陆介层窗，其深度延伸到该第一氧化层和该第二氧化层中，该深度小于该厚度。

7、如权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，其中该图案化金属配线层包含铜、铝和金其中至少一种，该金属配线层还包括一阻挡金属层，该阻挡金属层包含钛和氮化钛其中至少一种。

8、如权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，其中该第一氧化层为高密度等离子层。

9、如权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，其中该第一氧化层为金属间介电层。

10、如权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，其中该第一氧化层具有1.3到2.2的消光系数。

11、如权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，其中该图案化金属配线层周围的该第一氧化层中至少具有一空隙介电区域，其尺寸由该第一氧化层的填充特征来决定。

12、一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在该基底上形成一图案化的金属配线层；

在该图案化金属配线层上和周围形成一第一氧化层；

其中形成该第一氧化层包含结合氧和硅，其中硅原子对氧原子的比率超过1；

对该第一氧化层执行化学机械研磨；以及

形成一第二氧化层。

13、如权利要求12所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，其中形成该图案化金属配线层包含沉积铜、铝和金其中至少一种，并沉积一阻挡金属层，该阻挡金属层包含钛和氮化钛其中至少一种。

14、如权利要求12所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，其中形成该第一氧化层包含高密度等离子沉积。

15、如权利要求12所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，其中形成该第一氧化层提供1.3到2.2的消光系数。

16、一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在该基底上形成一图案化的金属配线层；

在该图案化金属配线层上和周围形成一第一氧化层；

其中形成该第一氧化层包含结合氧和硅，硅原子对氧原子的比率超过1；

对该第一氧化层执行化学机械研磨；

形成一第二氧化层，其中该第一氧化层和第二氧化层共同具有一个厚度；以及

形成一不着陆介层窗，其深度延伸到该第一氧化层和该第二氧化层中，该深度小于该厚度。

17、如权利要求16所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，其中形成该图案化金属配线层包含沉积铜、铝和金其中至少一种，并沉积一阻挡金属层，该阻挡金属层包含钛和氮化钛其中至少一种。