[发明专利]接垫的静电放电保护装置与其方法及结构

权利要求书

1.一种接垫的静电放电保护装置，包括：

一调节电路，包括：

一硅控整流器，其耦接至该接垫，该硅控整流器包括一第一二极管；

一骤回组件，其耦接至该第一二极管的N极；以及

一控制电路，其耦接至该第一二极管的N极，于一正常操作模式下，该控制电路是用以提供一第一电压至该第一二极管的N极，以使该第一二极管的N极收集复数个带电载子，并使得该硅控整流器不被导通，于一静电放电模式下，该控制电路不提供该第一电压至该第一二极管的N极，以使该第一二极管的N极不收集该些带电载子，并使得该硅控整流器导通以使该接垫上的静电电荷经由该硅控整流器放电。

2.如权利要求1所述的接垫的静电放电保护装置，其特征在于，该骤回组件为一N型金属氧化物半导体晶体管，该硅控整流器还包括一NPN双载子接面晶体管与一PNP双载子接面晶体管，该NPN双载子接面晶体管具有一第一集电极、一第一发射极与一第一基极，该PNP双载子接面晶体管具有一第二集电极、一第二发射极与一第二基极，该第一二极管的P极作为该第二发射极，该第一二极管的N极与第二基极电性连接，该第一集电极耦接至该骤回组件，该第二发射极耦接至该接垫，该第二基极耦接至该第一集电极，该第二集电极耦接至该第一基极，于该静电放电模式下，当该接垫上的静电电荷的电压大于该骤回组件及该第一二极管所对应的触发电压时，该骤回组件被触发，且该NPN双载子接面晶体管与该PNP双载子接面晶体管被导通，以使该接垫上的静电电荷经由该NPN双载子接面晶体管与该PNP双载子接面晶体管放电。

3.如权利要求1所述的接垫的静电放电保护装置，其特征在于，该控制电路包括一电压提供单元，用以提供该第一电压。

4.如权利要求1所述的接垫的静电放电保护装置，其特征在于，该控制电路包括一开关电路，该开关电路耦接于该第一二极管的N极与该接垫之间，于该一般操作模式下，该开关电路为导通的状态，于该静电放电模式下，该开关电路为关闭的状态。

5.如权利要求4所述的接垫的静电放电保护装置，其特征在于，该开关电路包括一电阻、一电容与一N型金属氧化物半导体晶体管，该电阻与该电容电性连接，且该电阻的另一端耦接至该接垫，该电容的另一端耦接一接地电压，而该N型金属氧化物半导体晶体管具有一栅极、一第一源极/漏极与一第二源极/漏极，该栅极耦接至该电容与该电阻间的一节点，该第二源极/漏极耦接至该第一二极管的N极，该第一源极/漏极耦接至该接垫。

6.如权利要求4所述的接垫的静电放电保护装置，其特征在于，该开关电路包括一电容、一电阻与一P型金属氧化物半导体晶体管，该电阻与该电容电性相接，且该电阻的另一端耦接至一接地电压，该电容的另一端耦接至该接垫，而该P型金属氧化物半导体晶体管具有一栅极、一第一源极/漏极与一第二源极/漏极，该栅极耦接至该电容与该电阻之间的一节点，该第一源极/漏极耦接至该第一二极管的N极，该第二源极/漏极耦接至该接垫。

7.如权利要求4所述的接垫的静电放电保护装置，其特征在于，该开关电路包括一P型金属氧化物半导体晶体管与一N型金属氧化物半导体晶体管，该N型金属氧化物半导体晶体管具有一第一栅极、一第一漏极/源极与一第二漏极/源极，该P型金属氧化物半导体晶体管具有一第二栅极、一第三漏极/源极与一第四漏极/源极，该第一栅极耦接至一电压提供单元，该第二漏极/源极耦接至一接地电压，该第一漏极/源极耦接至该第二栅极，该第四漏极/源极耦接至该第一二极管的N极，而该第三漏极/源极耦接至该接垫。

8.如权利要求1所述的接垫的静电放电保护装置，其特征在于，该调节电路还包括一二极管电路，该二极管电路包括至少一第二二极管，该骤回组件通过该二极管电路耦接至该第一二极管的N极。

9.如权利要求8所述的接垫的静电放电保护装置，其特征在于至少一第二二极管的个数决定静电放电保护装置的触发电压与维持电压。

10.如权利要求9所述的接垫的静电放电保护装置，其特征在于静电放电保护装置的触发电压为该骤回组件的触发电压加上该第一二极管与该第二二极管的个数和乘上二极管的导通压降，静电放电保护装置的维持电压为该骤回组件的维持电压加上该第一二极管与该第二二极管的个数和乘上二极管的导通压降。