[发明专利]准位转换电路

说明书

【技术领域】

本发明是有关于一种准位转换电路，且特别是有关于一种应用于低温多晶硅面板的准位转换电路。

【背景技术】

低温多晶硅(Low temperature poly-silicon，LTPS)面板具有反应时间短、亮度高与高解析度的优点。因此，越来越多厂商投资更多资源于低温多晶硅的研发。随着技术快速发展，低温多晶硅将可能取代薄膜晶体管(thin film transistor liquidcrystal，TFT-LCD)于面板显示器(FPD，flat panel display)中的地位。

图1系绘示习知的一准位转换电路。此准位转换电路具有一第一PMOS晶体管140、一第二PMOS晶体管130、一第一NMOS晶体管110与一第二NMOS晶体管120。

第一PMOS晶体管140的一源极耦接一电源端(VDDA)190，第一PMOS晶体管140的一栅极耦接一第二输出端135，第一PMOS晶体管140的一漏极耦接一第一输出端145。第二PMOS晶体管130的一源极耦接电源端(VDDA)190，第二PMOS晶体管130的一栅极耦接第一输出端145，第二PMOS晶体管130的一漏极耦接第二输出端135。第一NMOS晶体管110的一漏极耦接第二输出端135，第一NMOS晶体管110的一栅极耦接一第一输入端115，第一NMOS晶体管110的一源极耦接一接地端(VSSA)180。第二NMOS晶体管120的一漏极耦接第一输出端145，第二NMOS晶体管120的一栅极耦接一第二输入端125，第二NMOS晶体管120的一源极耦接接地端(VSSA)180。

其中第一PMOS晶体管140的一栅极耦接第一NMOS晶体管110的一漏极，第二PMOS晶体管130的一栅极耦接第二NMOS晶体管120的一漏极。因此当第一输入端115的输入电压导通第一NMOS晶体管110时，第一PMOS晶体管140亦导通且产生一输出电压于第一输出端145。当第二输入端125的输入电压导通第二NMOS晶体管120时，第二PMOS晶体管130亦导通且产生一输出电压于第二输出端135。

此准位转换电路使用CMOS晶体管(包含PMOS与NMOS晶体管)，而CMOS晶体管中的PMOS晶体管比NMOS晶体管大很多。因此当晶片使用到PMOS晶体管时，此晶片会相当大。此外，CMOS晶体管的设计与制造成本比NMOS或PMOS晶体管高很多。故需要一种新设计的准位转换电路来减少电路面积与成本。

【发明内容】

因此本发明一方面是在提供一种具有较小尺寸与较低成本的准位转换电路。

本发明另一方面是在提供一种具有一个NMOS晶体管于源极驱动器内，与多个PMOS晶体管于低温多晶硅面板上的准位转换电路。

根据本发明的一实施例，此准位转换电路用以接收一低电位信号以产生相应的一高电位信号。此准位转换电路具有第一型态的一第一晶体管、第二型态的一第二晶体管、第二型态的一第三晶体管与第二型态的一第四晶体管。第一晶体管具有一栅极接收低电位信号，以及一源极接收一第一供应电压。第二晶体管具有一源极接收一第二供应电压，与一漏极耦接第一晶体管的一漏极。第三晶体管具有一源极接收第二供应电压、一漏极输出高电位信号，与一栅极耦接第二晶体管的一栅极。第四晶体管具有一源极与一栅极共同耦接并接收一第三供应电压，与一漏极耦接第三晶体管的漏极。

值的注意的是，以上的概略叙述以及以下的详细叙述，皆用以对本发明的申请专利范围提供进一步的说明。

【附图说明】

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的详细说明如下：

图1系绘示习知的一准位转换电路。

图2系绘示本发明一较佳实施例的准位转换电路。

图3系绘示本发明一较佳实施例的准位转换电路中的NMOS晶体管剖面图。

【具体实施方式】

本发明提供一准位转换电路用于一低温多晶硅面板。为了缩减准位转换电路的尺寸与降低制造成本，此准位转换电路分成两个部分。一部份是由至少一个NMOS晶体管组成，另一部份是由多个PMOS晶体管组成。此NMOS晶体管配置于一源极驱动器内，而这些PMOS晶体管配置于一低温多晶硅面板上。此外，为了使用由低输入电压驱动的低成本源极驱动器，源极驱动器内的NMOS晶体管需要做一些设计上的修正。