[发明专利]准位转换电路有效
| 申请号： | 200610141390.X | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101102105A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 邱郁文;卜令楷 | 申请（专利权）人： | 奇景光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;G09G3/00;G09G3/20;G09G5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 台湾省台南县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 转换 电路 | ||
1.一种准位转换电路用以接收一低电位信号以产生相应的一高电位信号，该准位转换电路包括：
一第一晶体管属于一第一型态，具有一栅极接收该低电位信号，以及一源极接收一第一供应电压；
一第二晶体管属于一第二型态，具有一源极接收一第二供应电压，与一漏极耦接该第一晶体管的一漏极；
一第三晶体管属于该第二型态，具有一源极接收该第二供应电压、一漏极输出该高电位信号，与一栅极耦接该第二晶体管的一栅极；以及
一第四晶体管属于该第二型态，具有一源极与一栅极共同耦接并接收一第三供应电压，与一漏极耦接该第三晶体管的该漏极。
2.根据权利要求1所述的准位转换电路，其特征在于，该第一晶体管系位于一低温多晶硅面板的一源极驱动器内，而该第二、第三与第四晶体管系位于该低温多晶硅面板内。
3.根据权利要求2所述的准位转换电路，其特征在于，该第一型态系N型半导体型态，而第二型态系P型半导体型态。
4.根据权利要求3所述的准位转换电路，其特征在于，更包含一N井以包覆该第一晶体管的该漏极。
5.根据权利要求4所述的准位转换电路，其特征在于，更包含一场氧化层于该第一晶体管的该漏极与该栅极间，其中该场氧化层系被该N井包覆。
6.根据权利要求1所述的准位转换电路，其特征在于，该第二供应电压系高于该第一与该第三供应电压。
7.根据权利要求6所述的准位转换电路，其特征在于，该第一供应电压系高于该第三供应电压。
8.根据权利要求7所述的准位转换电路，其特征在于，该低电位信号的变动范围系约介于0伏特至5伏特间。
9.根据权利要求7所述的准位转换电路，其特征在于，该高电位信号的变动范围系约介于负20伏特至20伏特间。
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