[发明专利]激光诱导热成像装置、方法和制造有机发光二极管的方法

权利要求书

1.一种激光诱导热成像装置，包括：

处理室，其具有供体薄膜和包含磁体的受体基板，以执行转移所述供体薄膜的成像层到所述受体基板上的过程；

基板台，其设置于所述处理室中并且支撑所述受体基板；

接触框架，其具有磁性物质并设置在所述室中，使得所述供体薄膜位于所述接触框架与所述受体基板之间；和

激光振荡器，其形成于所述处理室的外部或内部，以照射激光到所述供体薄膜上。

2.如权利要求1所述的激光诱导热成像装置，其中，所述磁性物质形成在所述接触框架的朝向所述基板台的表面上，或者形成在所述接触框架的远离所述基板台的相反表面上。

3.如权利要求1所述的激光诱导热成像装置，其中，所述接触框架本身由磁性物质构成。

4.如权利要求1所述的激光诱导热成像装置，其中，所述磁体形成在所述受体基板的朝向所述供体薄膜的表面上，或者形成在所述受体基板的远离所述供体薄膜的相反表面上。

5.如权利要求1所述的激光诱导热成像装置，其中，所述磁体是永久磁体。

6.如权利要求5所述的激光诱导热成像装置，其中，所述永久磁体形成为棒状和圆柱状中的至少一种形状。

7.如权利要求5所述的激光诱导热成像装置，其中，所述永久磁体由永久磁体纳米颗粒构成。

8.如权利要求1所述的激光诱导热成像装置，其中，所述磁体是电磁体。

9.如权利要求8所述的激光诱导热成像装置，其中，所述电磁体形成为棒状和圆柱状中的至少一种形状。

10.如权利要求1所述的激光诱导热成像装置，其中，所述接触框架具有形成在所述供体薄膜被转移到的区域中的开口的相应图案。

11.如权利要求1所述的激光诱导热成像装置，进一步包括往复驱动单元，所述往复驱动单元与所述接触框架相连接，以控制所述接触框架朝向和远离所述基板台的驱动。

12.如权利要求11所述的激光诱导热成像装置，其中，所述往复驱动单元控制所述供体薄膜与受体基板之间的粘合强度。

13.如权利要求11所述的激光诱导热成像装置，其中，所述激光振荡器设置在所述接触框架的离开所述基板台的相反侧上的所述室的一部分中。

14.如权利要求1所述的激光诱导热成像装置，其中，所述处理室为真空室。

15.如权利要求1所述的激光诱导热成像装置，其中，所述基板台具有第一配置槽，以设置所述受体基板；以及第二配置槽，以设置所述供体薄膜。

16.如权利要求15所述的激光诱导热成像装置，其中，所述第二配置槽为在第一配置槽的周边之外的所述供体薄膜的形状。

17.如权利要求1所述的激光诱导热成像装置，进一步包括：

第一放置单元，以在所述基板台上放置所述受体基板；

第二放置单元，以在所述基板台上放置所述供体薄膜；

第一栓体，以往复地驱动所述第一放置单元；以及

第二栓体，以往复地驱动所述第二放置单元。

18.如权利要求17所述的激光诱导热成像装置，进一步包括终端效应器，用于转移所述受体基板到第一放置单元以及转移所述供体薄膜到第二放置单元。

19.一种激光诱导热成像方法，包括：

设置受体基板，其中磁体形成在至少一个表面中，所述受体基板位于接触框架和基板台之间，在所述接触框架中形成有磁性物质；

在所述受体基板上设置供体薄膜；

通过在所述磁性物质和所述磁体之间作用的磁力，对所述供体薄膜和所述受体基板进行层压；以及

通过在所述供体薄膜上扫描激光，转移所述供体薄膜的成像层的至少一个区域到所述受体基板上。

20.如权利要求19所述的激光诱导热成像方法，进一步包括通过向所述基板台挤压所述接触框架使所述受体基板和所述供体薄膜彼此粘合。