[发明专利]双面板型有机电致发光显示器件及其制造方法有效
| 申请号: | 200610138190.9 | 申请日: | 2006-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN101097937A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
| 发明(设计)人: | 朴宰希;朴冏敏;李锡宗 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;祁建国 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 双面板 有机 电致发光 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
本申请要求享有2006年6月29日提交的韩国专利申请No.10-2006-0059352的优先权,在此引入其全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种显示器件,更特别地涉及一种双面板型有机电致发光显示(ELD)器件。虽然本发明的实施方式适于广泛的应用范围,但其更特别地适于提高有机电致发光显示器件的亮度。
背景技术
一般地,有机电致发光器件(ELD)通过将来自阴极的电子和来自阳极的空穴注入发射层,从而将空穴与电子复合以产生激子,并从激发态跃迁至基态来发射光。相对液晶显示器件而言,有机ELD不需要额外的光源来发光,因为电子空穴对在激发态和基态之间的跃迁可产生光的发射。因此,有机ELD的尺寸和重量均小于LCD器件。有机ELD还具有其它优点,诸如功耗低,亮度高以及响应时间快。由于这些优点,有机ELD被视为,诸如移动电话,汽车导航系统(CNS),个人数字助理(PDA)和掌上电脑等下一代消费电器的显示器。并且,由于制造有机ELD仅需要更少的工序步骤,所以制造有机ELD比制造LCD器件更便宜。
现有两种不同的有机ELD:无源矩阵型和有源矩阵型。无源矩阵型有机ELD和有源矩阵型有机ELD都具有简单的结构并可通过简单的制造工序形成。无源矩阵型有机ELD需要相对大的功率工作。另外,无源矩阵型有机ELD的显示尺寸受到用于像素间相互连接的导线的宽度和厚度的限制。并且,随着导线数量的增加,无源矩阵型有机ELD的孔径比减小。相比而言,有源矩阵型ELD有机具有高效率并可用相对低的功率在大显示器上产生高质量图像。
图1是根据现有技术的有机ELD的横截面图。如图1所示,有机ELD1包括相互面对并彼此分开的第一基板12和第二基板28。在第一基板12上形成有包括薄膜晶体管“T”的阵列元件层14。虽然未图示,阵列元件层14进一步包括栅线,与栅线交叉的数据线,以及与栅线和数据线其中之一交叉的电源线。数据线,栅线和电源线限定出像素区域“P”。第一电极16在每个像素区域“P”的阵列元件14上,有机电致发光(EL)层18在每个像素区域“P”的第一电极16上,以及第二电极20在所有的像素区域“P”的有机电致发光(EL)层18上。更特别地,每个像素区域“P”的第一电极16与每个像素区域“P”的薄膜晶体管“T”连接。有机电致发光(EL)层18包括在像素区域“P”中的红(R),绿(G)和蓝(B)子有机EL层。
第二基板28作为密封面板并具有凹进部分21。凹进部分21中放有干燥剂22,用于保护有机ELD1免受潮湿损坏。在第一基板12和第二基板28之间的周围形成有密封图案26,用于将第一和第二基板12和28相互粘结。
图2是根据现有技术的有机ELD的等效电路图。如图2所示,栅线42和与栅线交叉的数据线44形成于基板32上以限定出像素区域“P”。与数据线44交叉的电源线55与栅线42平行并分开。
开关元件“TS”在交叉的栅线42和数据线44的邻近部分与栅线42和数据线44连接。驱动元件“TD”与开关元件“TS”连接。例如,如图2所示,驱动元件“TD”是P型薄膜晶体管。存储电容“CST”形成于开关元件“TS”与驱动元件“TD”之间。驱动元件“TD”的漏极63与有机EL二极管“E”的第一电极(未图示)连接。驱动元件“TD”的源极66与电源线55连接。
以下,将详细描述有机ELD的工作特性。当栅信号施加给开关元件“TS”的栅极46时,施加给数据线44的电流信号通过开关元件“TS”转换为电压信号,并施加给驱动元件“TD”的栅极68。结果,驱动所述驱动元件“TD”并确定施加给所述有机EL二极管“E”的电流的级别。并且随后,有机EL二极管“E”根据施加给所述有机EL二极管“E”的电流的级别明确确定灰度级。因为在存储电容“CST”中的信号用于保持驱动元件“TD”的栅极68的信号,所以施加给EL二极管的电流级别即使在开关元件“TS”处于关闭状态时,也可保持直到施加下一个信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





