[发明专利]双面板型有机电致发光显示器件及其制造方法有效
| 申请号: | 200610138190.9 | 申请日: | 2006-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN101097937A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
| 发明(设计)人: | 朴宰希;朴冏敏;李锡宗 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;祁建国 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 双面板 有机 电致发光 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件,包括:
在基板的像素区域中的开关元件以及与所述开关元件连接的驱动元件;
在所述开关元件和所述驱动元件上的保护层,其中所述保护层具有暴露出所述驱动元件的一部分的接触孔;
在包括所述接触孔的所述保护层上的第一接触层,所述第一接触层由金属材料构成;
在所述第一接触层上的阴极,所述阴极通过所述接触孔与所述驱动元件电连接;
包括在所述阴极上的开口的钝化层,其中所述阴极的边缘部分被所述钝化层覆盖;
在所述阴极上的发光层;以及
在所述发光层上的阳极。
2.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述阴极由钙、铝、镁、银以及锂其中之一构成。
3.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述阳极由铟锡氧化物和铟锌氧化物其中之一构成。
4.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,进一步包括所述阴极上的电子注入层,电子注入层上的电子传输层,发光层上的空穴传输层,空穴传输层上的空穴注入层以及空穴注入层上的缓冲层。
5.根据权利要求4所述的器件,其特征在于,所述缓冲层由有机单分子材料和氧化物其中之一构成。
6.根据权利要求5所述的器件,其特征在于,所述氧化物包括五氧化二钒。
7.根据权利要求5所述的器件,其特征在于,所述有机单分子材料具有结晶性并包括酞菁铜。
8.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述驱动元件是N型薄膜晶体管,其包括第一栅极,对应于第一栅极的第一半导体层,第一源极,与第一源极间隔隔开的第一漏极,第一源极和第一漏极与第一半导体层的端部连接。
9.根据权利要求8所述的器件,其特征在于,所述第一漏极与所述阴极连接。
10.根据权利要求8所述的器件,其特征在于,所述第一源极为“U”形,所述第一漏极为条形。
11.根据权利要求8所述的器件,其特征在于,所述第一源极为环形,所述第一漏极为圆形。
12.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,进一步包括与所述开关元件连接的栅线和数据线,所述栅线和数据线相互交叉以限定出所述像素区域,以及与所述栅线和所述数据线其中之一交叉的电源线。
13.根据权利要求12所述的器件,其特征在于,所述栅线、数据线和电源线在其端部分别包括栅焊盘、数据焊盘和电源焊盘。
14.根据权利要求12所述的器件,其特征在于,所述开关元件包括与所述栅线连接的第二栅极,对应于第二栅极的第二半导体层,与数据线连接的第二源极,以及与第二源极间隔隔开的第二漏极,第二源极和第二漏极与第二半导体层的端部连接。
15.根据权利要求14所述的器件,其特征在于,进一步包括存储电容,其包括与所述电源线连接的第一存储电极,与所述第二漏极连接的第二存储电极,以及第一和第二存储电极之间的绝缘层。
16.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述保护层包括有机绝缘材料。
17.根据权利要求16所述的器件,其特征在于,所述有机绝缘材料包括苯并环丁烯和丙烯酸树脂其中之一。
18.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,进一步包括在所述开关元件和保护层之间以及所述驱动元件和保护层之间的钝化层。
19.根据权利要求18所述的器件,其特征在于,在所述开关元件和保护层之间以及所述驱动元件和保护层之间的所述钝化层包括无机绝缘材料。
20.一种有机电致发光器件,包括:
在基板的像素区域中的开关元件以及与所述开关元件连接的驱动元件;
在所述开关元件和所述驱动元件上的保护层;
在所述保护层上由无机绝缘层构成的接触层,其中所述保护层和接触层具有暴露出所述驱动元件一部分的接触孔;
在所述接触层上的阴极,所述阴极通过所述接触孔与所述驱动元件电连接;
在所述阴极上的发光层;以及
在所述发光层上的阳极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





