[发明专利]非挥发性存储体的蚀刻方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体元件的制造方法，且特别是有关于一种非挥发性存储体的蚀刻方法。

背景技术

图1A至图1E是绘示本发明一实施例的非挥发性存储体的蚀刻方法剖面图。请先参照图1A，此非挥发性存储体的制造方法例如是先提供衬底100，衬底100上已形成存储单元105、第一介电层110与隔离结构130。其中，衬底100例如是硅衬底。存储单元105上已形成有控制栅极160与浮置栅极140，控制栅极160形成材料包括氧化硅，浮置栅极140形成材料包括多晶硅与掺杂多晶硅，控制栅极160与浮置栅极140的形成方法例如是热氧化法或化学气相沉积法。

之后，请继续参照图1B，于衬底100上形成第二介电层113，以及在衬底100上形成凹陷131。其中，第二介电层113的材质例如是氧化硅，其形成方法例如是热氧化法或化学气相沉积法。至于凹陷131为凹突空间。

继而，请参照图1C，于凹陷131上形成第三介电层150。其中，第三介电层150的材质例如是氧化硅，其形成方法例如是热氧化法或化学气相沉积法。

接着，请参照图1D，同时进行存储单元接触窗导线空间171与衬底接触窗导线空间181形成，存储单元接触窗导线空间171形成步骤是先移除部分第三介电层150，再移除部分第二介电层113，最后移除部分第一介电层110至存储单元接触窗170。该衬底接触窗导线空间181形成步骤是先移除部分第三介电层150，再移除部分第二介电层113，最后移除部分第一介电层110至衬底接触窗180。

虽然衬底接触窗导线空间181蚀刻后刚好至衬底接触窗180，但是常常会因为蚀刻速率未妥善搭配而使存储单元接触窗导线空间171过度蚀刻，蚀穿控制栅极160。

接下来，请参照图1E，同时进行存储单元接触窗导线空间172与衬底接触窗导线空间182形成，存储单元接触窗导线空间172形成步骤是先移除部分第三介电层150，再移除部分第二介电层113，最后移除部分第一介电层110至存储单元接触窗170。该衬底接触窗导线空间181形成步骤是先移除部分第三介电层150，再移除部分第二介电层113，最后移除部分第一介电层110至衬底接触窗181。虽然存储单元接触窗导线空间172蚀刻后刚好至存储单元接触窗170，但是常常会因为蚀刻速率未妥善搭配而使衬底接触窗导线空间182蚀刻不足，并未到达衬底接触窗180。

由于现有技术的蚀刻速率未妥善搭配常常会造成存储单元接触窗导线空间171过度蚀刻，蚀穿控制栅极160或使衬底接触窗导线空间182蚀刻不足，并未到达衬底接触窗180。接触窗导线空间182蚀刻不足，并未到达衬底接触窗180。本发明提供一种存储体的蚀刻方法，利用介电层强化后的不同表面结构强度使接触窗导线空间形成速率相当。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种非挥发性存储体的蚀刻方法，可以提高非挥发性存储体的成品率，增进存储体的操作效能。

本发明的另一目的是提供一种存储体的蚀刻方法，利用介电层强化后的不同表面结构强度使接触窗导线空间形成速率相当。

本发明提供一种非挥发性存储体的蚀刻方法，此方法例如是提供衬底，衬底上已形成有存储单元、第一介电层与隔离结构。存储单元上已形成有控制栅极与浮置栅极。存储单元上形成存储单元接触窗，并于存储单元与隔离结构中形成衬底接触窗，使衬底上形成第二介电层与凹陷。

使用化学气体强化第二介电层表面，使存储单元之上的第二介电层表面结构较衬底接触窗之上的第二介电层具有较强的表面结构，再于衬底上形成第三介电层，填满凹陷，同时进行存储单元接触窗导线空间与衬底接触窗导线空间形成。存储单元接触窗导线空间形成步骤包括移除部分第三介电层、移除部分第二介电层及移除部分第一介电层至存储单元接触窗。衬底接触窗导线空间形成步骤包括移除部分第三介电层、移除部分第二介电层及移除部分第一介电层至衬底接触窗。利用第二介电层的不同表面结构强度使到达存储单元接触窗导线空间形成速率与衬底接触窗导线空间形成速率相当。

上述存储体的蚀刻方法，浮置栅极形成材料包括多晶硅。

上述存储体的蚀刻方法，浮置栅极形成材料包括掺杂多晶硅。

上述存储体的蚀刻方法，存储单元形成材料包括氧化硅。

上述存储体的蚀刻方法，存储单元形成材料包括钨化硅。

上述存储体的蚀刻方法，形成存储单元的方法包括化学气相沉积法或热氧化法。

上述存储体的蚀刻方法，隔离结构形成材料包括氧化硅。

上述存储体的蚀刻方法，形成隔离结构的方法包括化学气相沉积法或热氧化法。