[发明专利]非挥发性存储体的蚀刻方法

权利要求书

1.一种存储体的蚀刻方法，包括：

提供一衬底，该衬底上已形成有一存储单元、一第一介电层与一隔离结构；

该存储单元上已形成有一控制栅极与一浮置栅极；

该存储单元上形成一存储单元接触窗；

该存储单元与该隔离结构中形成一衬底接触窗；

于该衬底上形成一第二介电层与一凹陷；

使用化学气体强化该第二介电层表面，使该存储单元之上的该第二介电层表面结构较该衬底接触窗之上的该第二介电层具有较强的表面结构；

于该衬底上形成一第三介电层，填满该凹陷；

同时进行一存储单元接触窗导线空间与一衬底接触窗导线空间形成，该存储单元接触窗导线空间形成步骤包括：

移除部分该第三介电层；

移除部分该第二介电层；

移除部分该第一介电层至该存储单元接触窗；

该衬底接触窗导线空间形成步骤包括：

移除部分该第三介电层；

移除部分该第二介电层；

移除部分该第一介电层至该衬底接触窗；以及

利用该第二介电层的不同表面结构强度使到达该存储单元接触窗导线空间形成速率与该衬底接触窗导线空间形成速率相当。

2.如权利要求1所述的存储体的蚀刻方法，其中该浮置栅极形成材料包括多晶硅。

3.如权利要求1所述的存储体的蚀刻方法，其中该浮置栅极形成材料包括掺杂多晶硅。

4.如权利要求1所述的存储体的蚀刻方法，其中该存储单元形成材料包括氧化硅。

5.如权利要求1所述的存储体的蚀刻方法，其中该存储单元形成材料包括钨化硅。

6.如权利要求1所述的存储体的蚀刻方法，其中形成该存储单元的方法包括化学气相沉积法或热氧化法。

7.如权利要求1所述的存储体的蚀刻方法，其中该隔离结构形成材料包括氧化硅。

8.如权利要求1所述的存储体的蚀刻方法，其中形成该隔离结构的方法包括化学气相沉积法或热氧化法。

9.如权利要求1所述的存储体的蚀刻方法，其中该存储单元接触窗为存储单元的浮置栅极顶面。

10.如权利要求1所述的存储体的蚀刻方法，其中形成该第一介电层的方法包括化学气相沉积法或热氧化法。

11.如权利要求1所述的存储体的蚀刻方法，其中形成该第二介电层的方法包括化学气相沉积法或热氧化法。

12.如权利要求1所述的存储体的蚀刻方法，其中形成该第三介电层的方法包括化学气相沉积法或热氧化法。

13.如权利要求1所述的存储体的蚀刻方法，其中形成该第一介电层的材料包括氧化硅。

14.如权利要求1所述的存储体的蚀刻方法，其中形成该第二介电层的材料包括氧化硅。

15.如权利要求1所述的存储体的蚀刻方法，其中形成该第三介电层的材料包括氧化硅。

16.如权利要求1所述的存储体的蚀刻方法，其中使用强化该第二介电层表面的化学气体包括氮气、氧化氮或三氢化氮。

17.如权利要求1所述的存储体的蚀刻方法，其中形成强化该第二介电层表面的化学气体的方法包括化学气相沉积法或热氧化法。

18.如权利要求1所述的存储体的蚀刻方法，其中蚀刻至该存储单元接触窗与该衬底接触窗的材料包括热磷酸。

19.如权利要求1所述的存储体的蚀刻方法，其中蚀刻至该存储单元接触窗与该衬底接触窗的方法包括湿式蚀刻法。