[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，包含：

多条扫描线与多条信号线，交叉设置于一基板上并定义出多个像素区；

多条储存电容电极线，沿着这些扫描线方向设置并横跨这些像素区，且与这些信号线交叉设置；

多个像素电极，相对设置于任一这些像素区内；以及

多个薄膜晶体管，分别设置这些像素区的这些扫描线上，其中任一这些薄膜晶体管包含：

一栅极电极；

一源极电极，与该信号线电性连接；

一第一漏极电极，设置于该栅极电极之一侧且与该像素电极电性连接；以及

一第二漏极电极，与该第一漏极电极对称设置于该栅极电极的另一侧，其中该第二漏极电极与相邻的像素区的该像素电极部分重叠且彼此电性隔绝。

2.如权利要求1所述的像素结构，其中更包含一第一绝缘层设置于该基板上且覆盖该栅极电极。

3.如权利要求2所述的像素结构，其中该薄膜晶体管更包含一半导体层设置于该栅极电极上方的该第一绝缘层与该源极电极、该第一漏极电极及该第二漏极电极之间。

4.如权利要求2所述的像素结构，其中该第一绝缘层的材质包含氧化硅或氮化硅。

5.如权利要求1所述的像素结构，其中更包含一第二绝缘层覆盖于该源极电极及该第一漏极电极上。

6.如权利要求5所述的像素结构，其中该第一漏极电极以该第二绝缘层上的一接触孔与该像素电极电性连接。

7.如权利要求5所述的像素结构，其中该第二漏极电极与该薄膜晶体管相邻该像素区的该像素电极利用该第二绝缘层使彼此电性隔绝。

8.如权利要求1所述的像素结构，其中这些扫描线、这些信号线、这些储存电容电极线、该栅极电极、该源极电极、该第一漏极电极以及该第二漏极电极的材质包含铝、铜、金、铬、钽、钛、锰、镍、银或前述所组合。

9.如权利要求1所述的像素结构，其中这些像素电极的材质包含铟锡氧化物或铟锌氧化物。