[发明专利]功率半导体装置及使用该装置的电路模块

权利要求书

1.一种功率半导体装置，其包括：

一半导体芯片，具有一第一电极以及一第二电极，其中该第一电极设置在该半导体芯片的一第一表面，该第二电极设置在该半导体芯片的该第一表面或与该第一表面相对的一第二表面上；

一第一导电片，具有一第一接触部与一第二接触部，其中该第二接触部与该半导体芯片的该第一电极连接；

一第二导电片，具有一第一接触部与一第二接触部，其中该第二接触部与该半导体芯片的该第二电极连接；以及

一封装物质，用于封装该半导体芯片、部分该第一导电片以及部分该第二导电片，并使该第一导电片的该第一接触部以及该第二导电片的该第一接触部暴露，以使该功率半导体装置得由该第一导电片的该第一接触部以及该第二导电片的该第一接触部供一电流流通。

2.如权利要求1所述的功率半导体装置，其中该功率半导体装置为功率场效应晶体管，该功率场效应晶体管还包括一导电接脚，该半导体芯片还具有一第三电极，该第三电极设置在该半导体芯片的该第一表面或与该第一表面相对的该第二表面上，该导电接脚与该第三电极连接，且该封装物质封装部分该导电接脚。

3.如权利要求2所述的功率半导体装置，其中该第一电极为漏极，该第二电极为源极，且该第三电极为栅极。

4.如权利要求2所述的功率半导体装置，其中该第一导电片的该第二接触部由该第一接触部的至少一部分侧边向外延伸。

5.如权利要求4所述的功率半导体装置，其中该第一导电片的该第一接触部与该第二接触部位于同一平面。

6.如权利要求2所述的功率半导体装置，其中该第二导电片的该第二接触部与该第一接触部的至少一部分侧边连接。

7.如权利要求2所述的功率半导体装置，其中该导电接脚为一长柱体，该导电接脚一端与该半导体芯片的该第三电极连接，该导电接脚的另一端用于与一电路板的接触部连接。

8.如权利要求2所述的功率半导体装置，其中该功率场效应晶体管的该第一导电片的该第一接触部、该第二导电片的该第一接触部以及该封装物质的一表面形成一平面，且该第一导电片的该第一接触部与该第二导电片的该第一接触部分别由该封装物质的两相对侧向外延伸。

9.如权利要求1所述的功率半导体装置，其中该功率半导体装置为功率二极管。

10.如权利要求9所述的功率半导体装置，其中该第一电极为P型端，且该第二电极为N型端。

11.如权利要求9所述的功率半导体装置，其中该第一导电片的该第二接触部由该第一接触部的至少一部分侧边向外延伸。

12.如权利要求11所述的功率半导体装置，其中该第一导电片的该第一接触部与该第二接触部位于同一平面。

13.如权利要求9所述的功率半导体装置，其中该第二导电片的该第二接触部与该第一接触部的至少一部分侧边连接。

14.如权利要求9所述的功率半导体装置，其中该功率二极管的该第一导电片的该第一接触部、该第二导电片的该第一接触部以及该封装物质的一表面形成一平面，且该第一导电片的该第一接触部与该第二导电片的该第一接触部分别由该封装物质的两相对侧向外延伸。