[发明专利]半导体异质结构和形成半导体异质结构的方法

权利要求书

1.形成半导体异质结构的方法，所述方法包括：

-提供具有第一面内晶格参数a₁的基材(2)，

-提供具有第二面内晶格参数a₂的缓冲层(3)，

-在所述缓冲层(3)上提供顶层(6)，

其特征在于：

在缓冲层(3)和顶层(6)之间提供附加层(5)，所述附加层(5)具有第三面内晶格参数a₃，所述第三面内晶格参数a₃介于第一晶格参数a₁和第二晶格参数a₂之间，以便由此改善所述顶层(6)的表面粗糙度，其中所述基材和缓冲层的晶格参数分别对应于松弛态的晶格参数值，并且是朝向随后的层的界面处的晶格参数。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述附加层(5)和/或顶层(6)在低于所述缓冲层(3)的生长温度的生长温度下生长。

3.如权利要求2所述的方法，其中选择所述附加层(5)和/或顶层(6)的生长温度，使之低于所述缓冲层(3)的生长温度约50℃～约500℃。

4.如权利要求1～3中任一项所述的方法，其中所述附加层(5)的厚度小于临界厚度，大于该临界厚度时将产生缺陷，所述附加层(5)的厚度特别是小于1000_，更特别是该厚度为约200_～800_，更特别是约600_。

5.如权利要求1～4中任一项所述的方法，其中所述缓冲层(3，13)和附加层(5)包含至少两种化合物A和B，且具有彼此不同的组成A_1-xa2B_xa2和A_1-xa3B_xa3。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述组成的差Δx＝x_a2-x_a3为约0.5％～8％，特别是2％～5％，更特别是2.5％。

7.如权利要求1～6中任一项所述的方法，其中所述顶层(6)是应变层或松弛层，特别是硅(sSi)、硅锗(Si_1-xGe_x)和锗(Ge)之一。

8.如权利要求1～7中任一项所述的方法，其中所述基材(12)是硅，和/或缓冲层(3，13)是硅锗(Si_1-xa2Ge_xa2)。

9.如权利要求1～8中任一项所述的方法，其中所述附加层(5)是硅锗(Si_1-xa3Ge_xa3)。