[发明专利]微影系统及其制程

说明书

技术领域

本发明涉及一种微影系统(lithography system)和微影制程，特别是涉及能够调节透镜与基底的上表面之间的距离以控制投射到基底的感光层上的电磁成分(electro-magnetic component)的数目和量的一种微影系统及其制程。 

背景技术

微影系统具有很多应用，其普及应用之一为在半导体装置的制造期间执行曝光以定义图案或图像。可通过形成并定义具有各种电、物理或化学特性的各种层的形状或图案来制造集成电路(IC)和其他半导体装置。执行微影制程的微影系统能够定义出非常小的尺寸的图案，从而在基底上提供大量电子或机械元件以用于很多不同应用。 

然而，很多微影系统或制程在其解析度和其定义较小图案的能力方面具有局限性。一种改进其解析度的方法包括在聚焦透镜与目标之间放置中间物质，例如水或其他液体。图1说明这种技术的实例。参看图1，可在透镜2以及供曝光的目标4之间提供一团液体6(例如，水)。尽管所提议的技术在一些应用中可改进系统的解析度，但这还产生目标被插入于两个主体之间的水或其他中间物质污染的潜在风险。这还可通过在整个曝光过程期间需要对一团液体的良好控制，而增加微影系统或制程的复杂性。 

因此，微影系统或制程是需要能够避免常规技术的一个或一个以上问题，且提供微影系统或制程的更好的可控性或能力。 

发明内容

本发明的目的就是在提供一种微影制程。微影制程可包括：接收具有感光层的基底；提供能够导致所述感光层的一部分曝光的光源；和提供能够定义要转移到感光层的至少一个图案的光罩。所述光罩在光罩的第一表面处接收来自光源的电磁波，且从光罩的第二表面产生多个电磁成分。微影制程还可包括：提供透镜，其在透镜的下表面处提供平整表面，用于将图案转移到感光层，透镜以三维方式进行移动；和调节透镜的平整表面与基底的上表面之间的距离以控制投射到感光层上的电磁成分的数目和量，通过透镜传输的电磁成分的数目和量，转移到感光层的图案的清晰度和/或解析度可变化，其中透镜的平整表面与基底的上表面之间的距离在100纳米以下。 

本发明的另一目的就是在提供一种微影系统。所述系统可包括：基底台，用于支撑具有感光层的基底；光源，能够导致所述感光层的一部分曝光；和光罩，能够定义要转移到感光层的至少一个图案。所述光罩在光罩 的第一表面处接收来自光源的电磁波，且从光罩的第二表面产生多个电磁成分。微影系统可进一步包括：光罩台，用于支撑光罩；透镜，其在透镜的下表面处提供平整表面，用于将图案转移到感光层；和透镜台，用于支撑透镜，且以三维方式移动透镜。此外，微影系统可包括与基底台和透镜台中的至少一者耦合的台控制装置。所述台控制装置能够调节透镜的平整表面与基底的上表面之间的距离，以控制投射到感光层上的电磁成分的数目和量，通过透镜传输的电磁成分的数目和量，转移到感光层的图案的清晰度和/或解析度可变化，其中透镜的平整表面与基底的上表面之间的距离在100纳米以下。 

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。 

附图说明

图1说明使用液体作为中间媒介物的现有技术的微影技术。 

图2说明上方具有透镜以供曝光的示范性基底的横截面图。 

图3说明与本发明一致的实例中的示范性微影系统的横截面图。 

图4说明示范性曲线图，其说明在使用具有约248纳米的波长的光源的实例中，在不同气隙处通过透镜而传输的电磁成分的比率。 

图5说明示范性曲线图，其说明在使用具有约193纳米的波长的光源的实例中，在不同气隙处通过透镜而传输的电磁成分的比率。 

图6说明玻璃-空气界面处的内部总反射现象的示范性说明。 

图7说明示范性玻璃-空气-玻璃界面处的受阻挠的总内部反射的现象的示范性说明。 

2、10：透镜    4、20：目标 

6：液体        30：间隙 

100：微影系统  110：基底台 

112：基底      114：感光层 

120：光源      130：光罩台 

132：光罩      140：透镜台 

142：透镜      150：台控制装置 

200i：入射光   200p：穿透光 

200r：反射光   210：界面