[发明专利]微影系统及其制程有效
申请号: | 200610127750.0 | 申请日: | 2006-09-01 |
公开(公告)号: | CN101086624A | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 吴宗显;杨大弘;卢志远 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 系统 及其 | ||
1.一种微影制程,其特征在于其包括:
接收具有一感光层的一基底;
提供一光源,能够使该感光层的一部分曝光;
提供一光罩,能够定义出要转移到该感光层的至少一个图案,其中该 光罩在其第一表面处接收来自所述光源的电磁波,且从其第二表面产生多 个电磁成分;
提供一透镜,用于将该图案转移到该感光层,且该透镜在其下表面处 提供平整表面,该透镜以三维方式进行移动;以及
调节该透镜的平整表面与该基底的上表面之间的距离,以控制投射到 该感光层上的该些电磁成分的数目和量,通过透镜传输的该些电磁成分的 数目和量,转移到感光层的图案的清晰度和/或解析度可变化,其中该透镜 的平整表面与该基底的上表面之间的距离在10纳米以下。
2.根据权利要求1所述的微影制程,其特征在于其中所述的光罩包括 多个绕射光栅,用于定义要转移到该感光层的所述图案。
3.根据权利要求1所述的微影制程,其特征在于其中该些电磁成分包 括所述电磁波的绕射。
4.根据权利要求1所述的微影制程,其特征在于其中提供该透镜的平 整表面和该基底的上表面之间无中间物质。
5.根据权利要求1所述的微影制程,其特征在于其中所述的光源包含 具有约为248纳米或更小的波长的紫外线光源。
6.根据权利要求1所述的微影制程,其特征在于其中所述的基底的上 表面具有约100埃或小于100埃的表面平整度变化。
7.根据权利要求1所述的微影制程,其特征在于其中所述的感光层包 含光阻层。
8.根据权利要求1所述的微影制程,其特征在于其中所述的基底在该 感光层的上方具有抗反射层。
9.一种微影系统,其特征在于其包括:
一基底台,用于支撑具有一感光层的一基底;
一光源,其能够使该感光层的一部分曝光;
一光罩,其能够定义要转移到该感光层的至少一个图案,该光罩在其 第一表面处接收来自所述光源的电磁波,且从其第二表面产生多个电磁成 分;
一光罩台,用于支撑该光罩;
一透镜,用于将该图案转移到该感光层,且该透镜在其下表面处提供 平整表面;
一透镜台,用于支撑该透镜,且以三维方式移动该透镜;以及
一台控制装置,其与该基底台和该透镜台中的至少一者耦合,该台控 制装置能够调节该透镜的平整表面与该基底的上表面之间的距离,以控制 投射到该感光层上的该些电磁成分的数目和量,通过透镜传输的该些电磁 成分的数目和量,转移到感光层的图案的清晰度和/或解析度可变化,其中 该透镜的平整表面与该基底的上表面之间的距离在10纳米以下。
10.根据权利要求9所述的微影系统,其特征在于其中所述的光罩包 括多个绕射光栅,用于定义要转移到该感光层的所述图案。
11.根据权利要求9所述的微影系统,其特征在于该些电磁成分包括 所述电磁波的绕射。
12.根据权利要求9所述的微影系统,其特征在于其中提供所该透镜 的平整表面和该基底的上表面之间无中间物质。
13.根据权利要求9所述的微影系统,其特征在于其中所述的光源包 含具有约为248纳米或更小的波长的紫外线光源。
14.根据权利要求9所述的微影系统,其特征在于其中所述的基底的 上表面具有约100埃或小于100埃的表面平整度变化。
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