[发明专利]立体式封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装结构及其制造方法，特别是一种立体式封装结构及其制造方法。

背景技术

参考图1，为美国第US4,499,655号专利所揭示的立体式封装结构在回焊前的示意图。立体式封装结构1包括第一单元10及第二单元20。第一单元10包括第一半导性本体11、至少一个第一孔12、第一导电层(conductivelayer)13及第一焊料(solder)14。第一半导性本体11具有第一表面111和第二表面112，第一表面111具有至少一个第一焊垫(图未示)及第一保护层(protection layer)113，第一保护层113暴露出第一焊垫。第一孔12贯穿第一半导性本体11。第一导电层13位于第一孔12的侧壁上，并覆盖第一焊垫和第一保护层113。第一焊料14位于第一孔12内，第一焊料14通过第一导电层13电性连接第一焊垫。第一焊料14上端延伸至第一半导性本体11的第一表面111的上方，其下端延伸至第一半导性本体11的第二表面112的下方。

第二单元20堆栈在该第一单元10上。第二单元20包括第二半导性本体21、至少一个第二孔22、第二导电层23及第二焊料24。第二半导性本体21具有第一表面211及第二表面212，第一表面211具有至少一个第二焊垫(图未示)及第二保护层213，第二保护层213暴露出第二焊垫。第二孔22贯穿第二半导性本体21。第二导电层23位于第二孔22的侧壁上，且覆盖第二焊垫和第二保护层213。第二焊料24位于第二孔22内，第二焊料24通过第二导电层23电性连接第二焊垫。第二焊料24上端延伸至第二半导性本体21的第一表面211的上方，其下端延伸至第二半导性本体21的第二表面212的下方。第二焊料24的下端对准接触第一焊料14的上端，经过回焊(reflow)后，使得第一单元10及第二单元20接合而成为立体式封装结构1，如图2所示。

在立体式封装结构1中，第一焊料14及第二焊料24的形成方式是将第一半导性本体11及第二半导性本体21置于焊料浴(solder bath)的上方，利用毛细管现象使焊料进入第一孔12及第二孔22，而形成第一焊料14及第二焊料24。

立体式封装结构1的缺点如下，由于第一焊料14及第二焊料24是利用毛细管现象形成，因此其上端及下端都是半圆球状(图1)，如此在第一单元10及第二单元20对准接合时，会增加对准的困难，而且回焊(reflow)后第一单元10及第二单元20间的接合并不稳固。此外，多余的半圆球状的焊料使得第一单元10及第二单元20接合后无法有效地降低整体高度。

因此，有必要提供一种创新且具有进步性的立体式封装结构及其制造方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种立体式封装结构及其制造方法，以解决上述现有技术之问题。

为实现所述之目的，本发明包括以下步骤：提供半导性本体(semiconductor body)，半导性本体具有第一表面及第二表面，第一表面具有至少一个焊垫及一保护层(protection layer)，保护层可暴露出焊垫；在半导性本体的第一表面上形成至少一个盲孔；在盲孔的侧壁上形成绝缘层(isolationlayer)；形成导电层(conductive layer)，导电层覆盖焊垫、保护层及绝缘层；在导电层上形成一干膜(dry film)，干膜在盲孔的相对位置开设有开口；在盲孔内填入焊料(solder)；移除干膜；图案化导电层；移除半导性本体第二表面的一部分及绝缘层的一部份，以暴露出导电层的一部分；堆栈复数个半导性本体，且进行回焊(reflow)；及切割堆栈后的半导性本体，以形成复数个立体式封装结构。