[发明专利]立体式封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种立体式封装结构的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

(a)提供一半导性本体(semiconductor body)，该半导性本体具有一第一表面及一第二表面，该第一表面具有至少一个焊垫及一保护层(protection layer)，该保护层暴露出该焊垫；

(b)在该半导性本体的第一表面形成至少一个盲孔；

(c)在该盲孔的侧壁上形成一绝缘层(isolation layer)；

(d)形成一导电层(conductive layer)，该导电层覆盖该焊垫、该保护层及该绝缘层；

(e)在该导电层上形成一干膜(dry film)，该干膜和该盲孔的相对位置开设有开口；

(f)在该盲孔内填入一焊料(solder)；

(g)移除该干膜；

(h)图案化该导电层；

(i)移除该半导性本体第二表面的一部分及该绝缘层的一部份，以暴露出该导电层的一部分；

(j)堆栈复数个该半导性本体，并且进行回焊(reflow)；及

(k)切割该堆栈后的半导性本体，以形成复数个立体式封装结构。

2.如权利要求1所述的立体式封装结构的制造方法，其特征在于该半导性本体为一晶圆或一芯片。

3.如权利要求1所述的立体式封装结构的制造方法，其特征在于该盲孔贯穿该焊垫。

4.如权利要求1所述的立体式封装结构的制造方法，其特征在于该步骤(h)之后进一步包括在该导电层上形成一钝化层(passivation layer)以保护该导电层。

5.如权利要求1所述的立体式封装结构的制造方法，其特征在于该步骤(i)包括：

(i1)研磨该半导性本体的第二表面；及

(i2)蚀刻该半导性本体的第二表面及该绝缘层的一部份，以暴露出该导电层的一部分。

6.如权利要求1所述的立体式封装结构的制造方法，其特征在于该步骤(i)之后进一步包括一形成一阻绝层(barrier layer)的步骤，该阻绝层覆盖该暴露的导电层。

7.如权利要求1所述的立体式封装结构的制造方法，其特征在于该步骤(i)之后进一步包括一形成一下焊料的步骤，该下焊料连接该暴露的导电层。

8.一种立体式封装结构，包括：

一第一单元，包括：

一第一半导性本体，具有一第一表面及一第二表面，该第一表面具有至少一第一焊垫及一第一保护层(protection layer)，该第一保护层暴露出该第一焊垫；

至少一第一孔，贯穿该第一半导性本体；

一第一绝缘层(isolation layer)，位于该第一孔之侧壁上；

一第一导电层(conductive layer)，覆盖该第一焊垫、部分该第一保护层及该第一绝缘层，该第一导电层之下端延伸至该第一半导性本体之第二表面之下方；及

一第一焊料，位于该第一孔内，该第一焊料透过该第一导电层电气连接该第一焊垫；及

一第二单元，堆栈于该第一单元之上，该第二单元包括：

一第二半导性本体，具有一第一表面及一第二表面，该第一表面具有至少一第二焊垫及一第二保护层(protection layer)，该第二保护层暴露出该第二焊垫；

至少一第二孔，贯穿该第二半导性本体；

一第二绝缘层(isolation layer)，位于该第二孔之侧壁上；

一第二导电层(conductive layer)，覆盖该第二焊垫、部分该第二保护层及该第二绝缘层，该第二导电层之下端延伸至该第二半导性本体之第二表面之下方，且接触该第一焊料之上端；及

一第二焊料，位于该第二孔内，该第二焊料透过该第二导电层电气连接该第二焊垫。

9.如权利要求8所述的立体式封装结构，其特征在于该半导性本体为一晶圆或一芯片。

10.如权利要求8所述的立体式封装结构，其特征在于其中该第一孔系贯穿该第一焊垫或该第二孔系贯穿该第二焊垫中的至少一种。