[发明专利]光学元件的封装方法及其封装结构无效
申请号: | 200610126241.6 | 申请日: | 2006-08-21 |
公开(公告)号: | CN101131939A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
发明(设计)人: | 许健豪 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L33/00 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 元件 封装 方法 及其 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种封装方法和封装结构,特别是关于一种光学元件的封装方法以及封装结构。
背景技术
投影机产业发展至今,技术从显像管(CRT)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)到所谓的数字微镜元件(DigitalMicromirror Device,DMD)与LCOS(Liquid Crystal OnSilicon)反射式液晶投影。以市场观点来看,随着投影机技术的进步,投影机产品因为体积小、重量轻、携带方便,加上笔记本电脑性能的不断提升与销售量的日渐扩增与普及,进而也带动多媒体简报风行,使得原本只是以办公自动化(OA)市场为主的投影机产品,未来除了在消费电子市场发展之外,也将进入所谓的PC市场。投影技术日新月异,而所有的光学元件中,投影芯片为最关键的零部件。
图1是投影芯片的封装结构图。请参考图1,投影芯片11必须封装于间隔材12在基材10与玻璃基板13之间产生的间隙中,如此,光线可穿透玻璃基板13进出投影芯片11,并且可达到保护投影芯片11的功效。在封装时,先将投影芯片11设置于基板10上,在投影芯片11周围设置间隔材12,再夹上玻璃基板13。一旦经过对位之后,即可压合完成封装。
然而,基材10、间隔材12与玻璃基板13三者无法进行对位。在现有的封装制程中,对位制程通常利用电荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)。由于在投影芯片11的封装结构中,基材10与玻璃基板13之间的间隙过大,电荷耦合元件无法同时撷取基材10与玻璃基板13上的对位点,造成无法精确对位的问题。此外,一旦产品无法对位,后续的切割制程也将无法控制,从而严重影响后续的制程以及产品良率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光学元件的封装方法及其封装结构,可改善现有技术无法利用感光元件对位的问题。本发明在间隔材中形成贯孔,并在玻璃基板与基材上形成对应的图案。如此一来,感光元件可以透过玻璃基板以及贯孔进行自动化对位制程,不但不需要添置新的厂房设备,而且还可以沿用原有的机台进行封装。
为实现上述目的,本发明提供一种光学元件的封装方法,包括以下步骤:(a)提供一个基材,所述基材表面设有复数个光学元件,并具有至少两个第一对位图案;(b)提供一个间隔材,所述间隔材具有复数个开口以及至少两个贯孔;(c)利用所述第一对位图案和所述贯孔作对位,将所述开口对应于所述光学元件,以接合所述基材与所述间隔材;(d)提供一个玻璃基板,其具有至少两个第二对位图案;以及(e)利用所述第二对位图案和所述贯孔作对位,以接合所述间隔材与所述玻璃基板。
根据本发明的目的,本发明进一步提供一光学封装件,包括基材、光学元件、间隔材以及玻璃基板。所述基材具有第一对位图案,所述光学元件设置在基材上,所述间隔材压合在基材上。间隔材具有一个开口以及一个贯孔,开口对应于光学元件,基材的第一对位图案对应于贯孔。玻璃基板压合在间隔材上,并具有第二对位图案对应于间隔材的贯孔。
与现有技术相比,本发明在间隔材中形成贯孔,并在玻璃基板与基材上形成对应的图案。如此,感光元件可以透过玻璃基板以及贯孔进行自动化对位制程,不但不需要添置新的厂房设备,而且还可以沿用原有的机台进行封装。此外,光学元件经过上述方法精确对位之后,可以准确控制后续制程,并提高制程良率。
以下结合附图与实施例对本发明作进一步的说明。
附图说明
图1为投影芯片的封装结构图。
图2A~2H为依照本发明一较佳实施例的光学元件的封装流程图。
具体实施方式
有关本发明的详细说明及技术内容,现就结合附图说明如下:
图2A~2G为依照本发明一较佳实施例的光学元件的封装流程图。本实施例的光学元件的封装方法包括下列步骤:首先,如图2A所示,提供一个基材100,所述基材100表面设有复数个光学元件110并具有至少两个第一对位图案102和104。基材100较佳的形式是CMOS晶圆。同时,如图2B所示,提供一个间隔材120,所述间隔材120具有复数个开口125以及至少两个贯孔122和124。间隔材120较佳的是利用晶圆蚀刻而成,其详细形成步骤如下所述。在制作间隔材120的过程中,先提供一个晶圆,并形成图案化光阻层在所述晶圆上,最后再依据图案光阻层,将晶圆蚀刻出复数个开口125以及至少两个贯孔122和124。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造