[发明专利]高功率发光元件封装的工艺及其结构有效
申请号: | 200610125767.2 | 申请日: | 2006-08-28 |
公开(公告)号: | CN101090144A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
发明(设计)人: | 汪秉龙;庄峰辉;巫世裕 | 申请(专利权)人: | 宏齐科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L21/50;H01L25/00;H01L25/075;H01L23/34;H01L23/488;H01L23/31 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 发光 元件 封装 工艺 及其 结构 | ||
1、一种高功率发光元件封装的工艺,其特征在于包括下列步骤:
(a)在金属料带上形成多个导线架,所述导线架彼此之间通过系带连接,每一导线架包括散热元件及多个引脚,每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸;
(b)分别电镀所述导线架的所述散热元件和所述多个引脚;
(c)在每一导线架的散热元件的表面涂布导电胶;
(d)在该导电胶上分别设置至少一发光芯片,使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的该表面;
(e)以射出成型的方式在每一导线架上形成胶封体,该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分,且在该胶封体上一体形成反射凹杯,该反射凹杯的内壁周缘形成反射面,该至少一发光芯片暴露在该反射凹杯的底部;
(f)在所述引脚的之上打线连接该至少一发光芯片的顶部电极;
(g)在打线连接处点银胶;
(h)在每一反射凹杯内点硅胶;
(i)在每一反射凹杯的顶部压一透镜;以及
(j)切断所述系带,使每一导线架彼此分开;
由此,形成多个高功率发光元件的封装。
2、如权利要求1所述的高功率发光元件封装的工艺,其特征在于,在(e)步骤中进一步包括下列步骤:在每一反射面上镀上一层反射层。
3、一种高功率发光元件封装的工艺,其特征在于包括下列步骤:
(a)金属料带上形成多个导线架,所述导线架彼此之间通过系带连接,每一导线架包括散热元件及多个引脚,每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸;
(b)分别电镀所述导线架的所述散热元件和所述多个引脚;
(c)涂布导电胶在每一导线架的散热元件的表面;
(d)分别设置至少一发光芯片于该导电胶上,使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的该表面;
(e)以射出成型的方式在每一导线架上形成胶封体,该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分,且在该胶封体上一体形成反射凹杯,该反射凹杯的内壁周缘形成反射面,该至少一发光芯片暴露在该反射凹杯的底部;
(f)在所述引脚之一上打线连接该至少发光芯片的顶部电极;
(g)在打线连接处点银胶;
(h)在每一反射凹杯内点硅胶;以及
(i)切断所述系带,使每一导线架彼此分开;
由此,形成多个高功率发光元件的封装。
4、如权利要求3所述的高功率发光元件封装的工艺,其特征在于,在(e)步骤中,进一步包括下列步骤:在每一反射面上镀上一层反射层。
5、如权利要求3所述的高功率发光元件封装的工艺,其特征在于,在(h)步骤中,在每一反射凹杯内点上硅胶后,在硅胶的顶面一体形成聚光凸面。
6、一种高功率发光元件封装的工艺,其特征在于包括下列步骤:
(a)在金属料带上形成多个导线架,所述导线架彼此之间通过系带连接,每一导线架包括散热元件及多个引脚,每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸;
(b)以射出成型的方式在每一导线架上形成胶封体,该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分,且该胶封体上形成反射凹杯,该反射凹杯的内壁周缘形成反射面,该散热元件的一些表面及每一引脚的一些表面暴露在该反射凹杯的底部;
(c)分别电镀所述导线架的所述散热元件未被该胶封体封住的表面和所述多个引脚未被该胶封体封住的表面;
(d)在该反射凹杯的底部涂布导电胶;
(e)在该导电胶上设置至少一发光芯片,使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的表面;
(f)在所述引脚之一上打线连接该至少一发光芯片的顶部电极;
(g)在打线连接处点银胶;
(h)在每一反射凹杯内点硅胶;
(i)在每一反射凹杯的顶部压一透镜;以及
(j)切断所述系带,使每一导线架彼此分开;
由此,形成多个高功率发光元件的封装。
7、如权利要求6所述的高功率发光元件封装的工艺,其特征在于,在(b)步骤中进一步包括下列步骤:在每一反射面上镀上一层反射层。
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