[发明专利]立体式封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装结构及其制造方法，特别是关于一种立体式封装结构及其制造方法。

背景技术

图1为美国第4,499,655号专利所揭示的一种立体式封装结构在回焊前的示意图。该立体式封装结构1包括一第一单元10以及一第二单元20。该第一单元10包括一第一半导性本体11、至少一第一孔12、一第一导电层(conductive layer)13以及一第一焊料(solder)14。该第一半导性本体11具有一第一表面111以及一第二表面112，该第一表面111具有至少一第一焊垫(未图示)以及一第一保护层(protection layer)113，该第一保护层113暴露出该第一焊垫。该第一孔12贯穿该第一半导性本体11。该第一导电层13位于该第一孔12的侧壁上，并覆盖该第一焊垫以及该第一保护层113。该第一焊料14位于该第一孔12内，并透过该第一导电层13电气连接该第一焊垫。该第一焊料14上端延伸至该第一半导性本体11的第一表面111之上方，其下端延伸至该第一半导性本体11的第二表面112的下方。

该第二单元20堆叠在该第一单元10之上。该第二单元20包括一第二半导性本体21、至少一第二孔22、一第二导电层23以及一第二焊料24。该第二半导性本体21具有一第一表面211以及一第二表面212，该第一表面211具有至少一第二焊垫(未图示)以及一第二保护层213，该第二保护层213暴露出该第二焊垫。该第二孔22贯穿该第二半导性本体21。该第二导电层23位于该第二孔22的侧壁上，并覆盖该第二焊垫以及该第二保护层213。该第二焊料24位于该第二孔22内，该第二焊料24透过该第二导电层23电气连接该第二焊垫。该第二焊料24上端延伸至该第二半导性本体21的第一表面211的上方，其下端延伸至该第二半导性本体21的第二表面212的下方。该第二焊料24的下端对准接触该第一焊料14的上端，经过回焊(reflow)后，使得该第一单元10以及该第二单元20接合而成为该立体式封装结构1，如图2所示。

在该立体式封装结构1中，该第一焊料14以及该第二焊料24的形成方式是将该第一半导性本体11以及该第二半导性本体21设置在一焊料浴(solder bath)的上方，利用毛细管现象使焊料进入该第一孔12以及第二孔22，而形成该第一焊料14以及该第二焊料24。

该立体式封装结构1的缺点如下：由于该第一焊料14以及该第二焊料24是利用毛细管现象所形成的，因此其上端以及下端均为半圆球状(图1)，从而使该第一单元10以及该第二单元20在对准接合时，会增加对准的困难，而且回焊(reflow)后该第一单元10以及该第二单元20之间的接合并不稳固。此外，该等多余的半圆球状的焊料使得该第一单元10以及该第二单元20接合后，无法有效地降低整体高度。

因此，有必要提供一种创新并具进步性的立体式封装结构及其制造方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种立体式封装结构的制造方法，包括提供一半导性本体(semiconductor body)，该半导性本体具有一第一表面以及一第二表面，该第一表面具有至少一焊垫以及一保护层(protection layer)，该保护层暴露出该焊垫，该制造方法进一步包括以下步骤：

(a)形成至少一盲孔在该半导性本体的第一表面；

(b)形成一绝缘层(isolation layer)在该盲孔的侧壁上；

(c)形成一导电层(conductive layer)，该导电层覆盖该焊垫、该保护层以及该绝缘层；

(d)图案化该导电层；

(e)移除该半导性本体第二表面的一部分以及该绝缘层的一部份，以暴露出该导电层的一部分；

(f)形成一焊料在该导电层的下端；以及

(g)堆叠复数个该半导性本体，并进行回焊(reflow)。

与现有技术相比，在本发明中，由于该导电层的下端外露于该半导性本体的第二表面之下，因此在堆叠后的回焊制程中，该导电层下端连同其焊料″插入″下方的半导性本体的盲孔中，因而使得上下两半导性本体的接合更为稳固，并且接合后该立体式封装结构的整体高度可以有效降低。

本发明的另一目的在于提供一种立体式封装结构，包括一第一单元以及一第二单元。该第一单元包括：一第一半导性本体、至少一第一孔、一第一绝缘层、一第一导电层以及一第一焊料。