[发明专利]立体式封装结构及其制造方法有效
| 申请号: | 200610125646.8 | 申请日: | 2006-08-25 |
| 公开(公告)号: | CN101131947A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
| 发明(设计)人: | 黄敏龙;王维中;郑博仁;余国宠;苏清辉;罗建文;林千琪 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L25/00;H01L23/48 |
| 代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 立体 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种立体式封装结构的制造方法,包括提供一半导性本体,该半导性本体具有一第一表面以及一第二表面,该第一表面具有至少一焊垫以及一保护层,该保护层暴露出该焊垫,其特征在于:该制造方法进一步包括以下步骤:
(a)形成至少一盲孔在该半导性本体的第一表面;
(b)形成一绝缘层在该盲孔的侧壁上;
(c)形成一导电层,该导电层覆盖该焊垫、该保护层以及该绝缘层;
(d)图案化该导电层;
(e)移除该半导性本体第二表面的一部分以及该绝缘层的一部份,以暴露出该导电层的一部分;
(f)形成一焊料在该导电层的下端;
(g)堆叠复数个该半导性本体,并进行回焊;以及
(h)切割该堆叠后的半导性本体,以形成复数个立体式封装结构。
2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于在步骤(f)与步骤(g)之间,或步骤(g)之后还包括切割该半导性本体,以形成复数个封装单元这一步骤。
3.如权利要求2所述的制造方法,其特征在于进一步包括一形成至少一焊球在该封装单元的下方的步骤。
4.如权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于该盲孔是位于该焊垫旁或贯穿该焊垫。
5.如权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于步骤(d)之后进一步包括一形成一钝化层在该导电层上的步骤,以保护该图案化的导电层。
6.如权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于步骤(e)之后进一步包括一形成一阻绝层的步骤,该阻绝层覆盖该暴露的导电层。
7.一种立体式封装结构,包括:
一第一单元,包括:一第一半导性本体,具有一第一表面以及一第二表面,该第一表面具有至少一第一焊垫以及一第一保护层,该第一保护层暴露出该第一焊垫;至少一第一孔,贯穿该第一半导性本体;一第一导电层,覆盖该第一焊垫以及部分该第一保护层;以及一第一焊料,位于该第一孔内,该第一焊料透过该第一导电层电气连接该第一焊垫;以及
一第二单元,堆叠在该第一单元之上,该第二单元包括:一第二半导性本体,具有一第一表面以及一第二表面,该第一表面具有至少一第二焊垫以及一第二保护层,该第二保护层暴露出该第二焊垫;至少一第二孔,贯穿该第二半导性本体;以及一第二导电层,覆盖该第二焊垫以及部分该第二保护层;
其特征在于:该第一单元进一步包括一第一绝缘层,位于该第一孔的侧壁上;该第一导电层覆盖该第一绝缘层并位于该第一孔内,该第一导电层下端是相连接的并突伸出该第一半导性本体的第二表面的下方;该第一焊料位于第一孔内并位于该第一导电层上;
该第二单元进一步包括一第二绝缘层,位于该第二孔的侧壁上;该第二导电层覆盖该第二绝缘层并位于该第二孔内,该第二导电层下端是相连接的并突伸出该第二半导性本体的第二表面的下方,并伸入第一单元的第一孔与第一焊料的上端接触。
8.如权利要求7所述的立体式封装结构,其特征在于该第一孔是位于该第一焊垫旁或者贯穿该第一焊垫,而该第二孔也是位于该第二焊垫旁或者贯穿该第二焊垫。
9.如权利要求7或8所述的立体式封装结构,其特征在于该第一单元进一步包括一第一钝化层,覆盖该第一导电层;该第二单元进一步包括一第二钝化层,覆盖该第二导电层。
10.如权利要求7或8所述的立体式封装结构,其特征在于该第一单元进一步包括一第一阻绝层,覆盖该第一导电层的下端;该第二单元进一步包括一第二阻绝层,覆盖该第二导电层的下端。
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