[发明专利]蚀刻阻挡层及其形成方法有效
| 申请号： | 200610118817.4 | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101192533A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 陈玉文;邹晓东;陈昱升 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 阻挡 及其 形成 方法 | ||
1.一种蚀刻阻挡层的形成方法，在衬底上形成蚀刻阻挡层，其特征在于，所述蚀刻阻挡层为氮化硅，所述蚀刻阻挡层的应力范围为-1600至-2000MPa，所述应力为压应力。
2.根据权利要求1所述的蚀刻阻挡层的形成方法，其特征在于：所述的蚀刻阻挡层采用等离子体增强化学气相沉积装置制备。
3.根据权利要求2所述的蚀刻阻挡层的形成方法，其特征在于：所述的蚀刻阻挡层采用SiH4和NH3作为反应气体，N2作为载流体，所述SiH4流量范围为20至40sccm，NH3流量为70至90sccm，N2流量为8000至10000sccm。
4.根据权利要求2所述的蚀刻阻挡层的形成方法，其特征在于：所述等离子体增强化学气相沉积装置的射频功率为400至500W，真空腔内气压范围为6.67×102Pa至9.33×102Pa。
5.一种半导体器件的制造方法，包括：提供带有导电层的半导体衬底，在半导体衬底上依次形成第一蚀刻阻挡层、第一层间介电层、第二蚀刻阻挡层和第二层间介电层，其特征在于，所述第一蚀刻阻挡层和第二蚀刻阻挡层为氮化硅，所述第一蚀刻阻挡层和第二蚀刻阻挡层的应力范围为-1600至-2000MPa，所述应力为压应力。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述的蚀刻阻挡层采用等离子体增强化学气相沉积装置制备。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述的蚀刻阻挡层采用SiH4和NH3作为反应气体，N2作为载流体，所述SiH4流量范围为20至40sccm，NH3流量为70至90sccm，N2流量为8000至10000sccm。
8.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述所述等离子体增强化学气相沉积装置的射频功率为400至500W，真空腔内气压范围为6.67×102Pa至9.33×102Pa。
9.根据权利要求5所述的蚀刻阻挡层的形成方法，其特征在于：所述的第一层间介电层、第二层间介电层为介电常数范围为2.8至3.6。
10.一种半导体器件结构，包括带有导电层的半导体衬底，在半导体衬底上依次形成第一蚀刻阻挡层、第一层间介电层、第二蚀刻阻挡层和第二层间介电层，其特征在于，所述第一蚀刻阻挡层和第二蚀刻阻挡层为氮化硅，所述应力范围为-1600至-2000MPa，所述应力为压应力。
11.根据权利要求10所述的半导体器件结构，其特征在于：所述的蚀刻阻挡层采用等离子体增强化学气相沉积装置制备。
12.根据权利要求11所述的半导体器件结构，其特征在于：所述的蚀刻阻挡层采用SiH4和NH3作为反应气体，N2作为载流体，所述SiH4流量范围为20至40sccm，NH3流量为70至90sccm，N2流量为8000至10000sccm。
13.根据权利要求11所述的半导体器件结构，其特征在于：所述等离子体增强化学气相沉积装置的射频功率为400至500W，所述真空腔内气压范围为6.67×102Pa至9.33×102Pa。
14.根据权利要求10所述的半导体器件结构，其特征在于：所述的第一层间介电层、第二层间介电层的介电常数范围为2.8至3.6。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
