[发明专利]干式洁净介电层开口蚀刻反应室的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种干式洁净介电层开口蚀刻反应室的方法，特别涉及一种利用干式洁净方法来对介电层开口蚀刻反应室进行腔体内污染物去除的方法。

背景技术

半导体工艺包括了一连串不同的化学和物理的工艺，将微小的集成电路制作在半导体基底上。但伴随半导体工艺依循摩尔定律(Moor’s law)所预测于次微米进入深次微米后，所有的电子组件的特征尺寸日趋缩小，维持临界尺寸的均匀性和精确性的能力就受到了限制。因此工艺中任何微小杂质如微粒子、有机物和化学污染等累积到一定程度时，将造成成品率(yield)降低，形成一非常不利的因素来源，而且随着进入深次微米的工艺，杂质对整体组件相对影响的程度也日益严重，所以对杂质的累积程度的监控系为各半导体厂在工艺上的重要课题。

当反应进行的是介电层开口蚀刻工艺时，会于反应室内部壁上沉积高分子杂质，因此为避免杂质粒子的数量超过工艺所能忍受的限度，需于工艺中适当的加入洁净工艺，来进行适当的工艺反应室的洁净动作，以避免工艺过程内所产生的污染物造成组件的失效，请参阅图1所示，现有技术中，利用湿式洁净工艺S1方式来进行产品工艺运作清洁时的步骤，如图1所示，其步骤包括如步骤S12开启反应室腔体、如步骤S14利用徒手的方式使用有机溶剂以去除腔体内的杂质，接着如步骤S16使用一表面上具有一光阻层的晶片以调整工艺参数，然后再如步骤S2所示，进行在线工艺产品的制作，待反应室内壁累积高分子沉积物至一特定数量后，再重复如步骤S1，进行一次湿式洁净工艺步骤，但此种方式必须破坏反应式的密闭真空状态，而且人力擦拭反应式内部表面，所需的设备停工时间(down-time)较长，且溶剂将对电极产生严重的损伤。

因此，本发明针对上述问题，提出一种干式洁净介电层开口蚀刻反应室，以解决上述技术问题。

发明内容

本发明的主要目的在于，提供一种干式洁净介电层开口蚀刻反应室的方法，利用氧气洁净工艺气体产生等离子，对反应室进行干式洁净工艺，以大幅度降低设备停工时间。

本发明的另一目的在于，提供一种干式洁净介电层开口蚀刻反应室的方法，其不会对电极造成损伤。

本发明的再一目的在于，提供一种干式清洁界层洞蚀刻反应室的方法，其能够大幅度缩短洁净工艺所造成的成本浪费。

为达上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种干式清洁介电层开口蚀刻反应室的方法，用以去除位于一介电层开口蚀刻反应室壁上的高分子污染物，该方法包括先于一介电层开口蚀刻反应室置入一晶片；于反应室内通入一氧气洁净工艺气体；由该氧气洁净工艺气体形成一等离子；然后维持等离子一段时间，来进行清除反应室壁上所吸附的高分子污染物。

综上所述，本发明改善了现有技术湿式洁净工艺会对下电极产生损伤的问题，且本发明能够大幅度的缩短设备停工时间，并进而大幅度提高工艺产品的成品率。

以下结合附图及实施例进一步说明本发明。

附图说明

图1为现有技术的工艺步骤流程图。

图2为本发明干式洁净工艺步骤流程图。

图3为本发明应用于在线工艺产品运作时的流程图。

图4为现有洁净工艺在实际在线工艺产品运作时，进行洁净工艺时间点与反应室内壁上高分子污染物沉积数量间的关系。

图5为本发明洁净工艺在实际在线工艺产品运作时，进行洁净工艺时间点与反应室内壁上的高分子污染物沉积数量间的关系。

具体实施方式

一种干式洁净介电层开口蚀刻反应室的方法。工艺反应室为一介电层开口等离子蚀刻反应室，特别是一具有上下电极之介电层开口等离子蚀刻反应室，于介电层开口蚀刻时，以光阻为主形成的高分子聚合物会先行堆积在反应室的内表面，当蚀刻持续进行时，反应室内的高分子堆积微粒将不断累积，在此种情况下，将影响微粒将对产品的成品率造成严重的影响。