[发明专利]干式洁净介电层开口蚀刻反应室的方法无效
| 申请号： | 200610116928.1 | 申请日： | 2006-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101159235A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 孙炳云;吕明政;卓震宇;光辉 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/00;B08B7/00;C23F4/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 洁净 介电层 开口 蚀刻 反应 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种干式洁净介电层开口蚀刻反应室的方法，用于去除位于一介电层开口蚀刻反应室壁上的高分子污染物，其特征在于包括有下列步骤：
在该介电层开口蚀刻反应室内置入一晶片；
在该介电层开口蚀刻反应室内通入一氧气洁净工艺气体；
由该氧气洁净工艺气体形成一等离子；以及
维持该等离子一段时间，使该高分子污染物移除。
2.如权利要求1所述的干式洁净介电层开口蚀刻反应室的方法，其特征在于：该晶片为一控片。
3.如权利要求1所述的干式洁净介电层开口蚀刻反应室的方法，其特征在于：该介电层开口蚀刻反应室包含有一上、下电极。
4.如权利要求3所述的干式洁净介电层开口蚀刻反应室的方法，其特征在于：该电极的材料为氧化钇。
5.如权利要求3所述的干式洁净介电层开口蚀刻反应室的方法，其特征在于：该等离子的形成是通过施加一无线电频能量于该上电极，而使该氧气洁净工艺气体受激发而形成。
6.如权利要求1所述的干式洁净介电层开口蚀刻反应室的方法，其特征在于：维持该等离子一段时间后可进行将该氧气洁净工艺气体抽离该介电层开口蚀刻反应室，随后利用一裸晶片进行工艺参数调整。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
