[发明专利]一种源体欧姆接触绝缘体上硅晶体管的制作方法无效
| 申请号： | 200610113722.3 | 申请日： | 2006-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101162696A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 毕津顺;海潮和 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 欧姆 接触 绝缘体 晶体管 制作方法 | ||
1.一种源体欧姆接触绝缘体上硅晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：
A、在源体欧姆接触绝缘体上硅SOI晶体管版图中，增加一层源漏大剂量杂质反注入光刻版(60)；
B、以源漏大剂量杂质注入光刻版(40)的反版为掩膜进行源漏大剂量杂质注入；
C、以增加的源漏大剂量杂质反注入光刻版(60)的反版为掩膜进行源漏大剂量杂质反注入，引出栅区下面的体区(54)；
D、溅射钛层，退火生成源漏硅化物，形成源体欧姆接触SOI晶体管。
2.根据权利要求1所述的源体欧姆接触SOI晶体管的制作方法，其特征在于，步骤A中所述增加一层源漏大剂量杂质反注入光刻版(60)在SOI晶体管版图中源区(50)两端进行增加；
所述源漏大剂量杂质反注入光刻版(60)套准在SOI晶体管版图栅区(30)的中间。
3.根据权利要求1所述的源体欧姆接触SOI晶体管的制作方法，其特征在于，
对于n型沟道场效应晶体管，步骤B中所述进行源漏大剂量杂质注入的杂质为磷离子和砷离子；
对于p型沟道场效应晶体管，步骤B中所述进行源漏大剂量杂质注入的杂质为氟化硼离子。
4.根据权利要求1所述的源体欧姆接触SOI晶体管的制作方法，其特征在于，
对于n型沟道场效应晶体管，步骤C中所述进行源漏大剂量杂质反注入的杂质为氟化硼离子，其注入的剂量和能量与步骤B中所述p型沟道场效应晶体管源漏注入相同；
对于p型沟道场效应晶体管，步骤C中所述进行源漏大剂量杂质反注入的杂质为磷离子和砷离子，其注入的剂量和能量与步骤B中所述n型沟道场效应晶体管源漏注入相同。
5.根据权利要求1所述的源体欧姆接触SOI晶体管的制作方法，其特征在于，步骤B和步骤C中所述反版通过采用负性光刻胶实现。
6.根据权利要求1所述的源体欧姆接触SOI晶体管的制作方法，其特征在于，步骤D中所述溅射钛层的厚度为20nm至50nm，所述退火生成源漏硅化物采用两步退火工艺实现，所述形成源体欧姆接触SOI晶体管将体区(54)和源区(50)固定在同一电位上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
