[发明专利]制造快闪记忆元件的方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体元件，且特别是有关于一种具有增加的栅极耦合比的快闪存储器元件。

背景技术

快闪存储器元件在所属领域中是已知的。举例来说，美国专利第6,897，116号(Lee等人，“‘116号专利”)揭示具有增加的栅极耦合比(GCR)的快闪存储器元件的实施例。在所述‘116号专利中论述栅极耦合比的概念，且所述论述以引用的方式并入本文中。制造具有增加的栅极耦合比的快闪存储器元件的方法将为合乎需要的，所述方法：1)提供工艺更大的灵活性；和2)不需要减少埋入式漏极半导体空间。

发明内容

简单来说，在第一方面中，本发明是针对一种制造包括半导体间隔层的快闪存储器元件的方法，所述半导体间隔层与第一半导体层可操作地接触以形成浮置栅极。所述方法包含形成所述第一半导体层的步骤。将包括多个凹槽的半导体间隔层形成于第一半导体层的顶部上。将氧化层形成于半导体间隔层的顶部上。移除氧化层以形成半导体间隔层，并暴露每一凹槽的内部表面。

第二方面中，本发明是一种制造快闪存储器元件的方法，其包含提供板线的步骤，所述板线与第一半导体层可操作地接触以形成浮置栅极，所述板线具有多个凹槽，其中使用湿式蚀刻工艺来制造所述板线。

第三方面中，本发明是一种制造快闪存储器元件的方法，其包含提供半导体基底的步骤。将栅极氧化层形成于半导体基底上。将第一半导体层形成于栅极氧化层上。将绝缘层形成于第一半导体层上。移除绝缘层的一部分以暴露第一半导体层的一部分。移除第一半导体层的一部分以暴露栅极氧化层的一部分。将离子植入基底中以形成多个埋入式漏极。提供一形成多个岛状结构(mesa)的埋入式漏极氧化层，每一岛状结构定位于所述埋入式漏极中的一个的顶部上，且每一岛状结构都具有在第一半导体层的剩余部分的上部表面上延伸的上部表面。对埋入式漏极氧化层岛状结构的上部表面和绝缘层进行研磨，以形成一大体上平坦的表面。移除绝缘层的剩余物以暴露第一半导体层的剩余部分的上部表面。具有大体均匀厚度的半导体间隔层形成于埋入式漏极氧化层岛状结构的上部表面的顶部和第一半导体层的剩余部分上。因此多个凹槽形成于第一半导体层的剩余部分上。在半导体间隔层的顶部上形成足够厚度的氧化层，以填充所述多个凹槽中的每一个。移除形成于半导体间隔层顶部上的氧化层的一部分以暴露半导体间隔层的一部分，但将氧化层的剩余部分留在所述多个凹槽中。移除半导体间隔层的一部分以暴露埋入式漏极氧化层岛状结构的上部表面。移除形成于半导体间隔层顶部上的氧化层的剩余物和埋入式漏极氧化层的一部分，以暴露半导体间隔层的剩余物(包括所述多个凹槽的每一个的内部表面)和第一半导体层的一部分。将绝缘堆叠结构形成于埋入式漏极氧化层、第一半导体层和半导体间隔层的暴露部分上。将第二半导体层形成于绝缘堆叠结构的顶部上。

第四方面中，本发明是一种制造快闪存储器元件的方法，其包含提供半导体基底的步骤。将栅极氧化层形成于半导体基底上。将第一半导体层形成于栅极氧化层上。将绝缘层形成于第一半导体层上。移除绝缘层的一部分以暴露第一半导体层的一部分。移除第一半导体层的一部分以暴露栅极氧化层的一部分。将离子植入基底中以形成多个埋入式漏极。形成多个埋入式漏极氧化层岛状结构，每一埋入式漏极顶部上都有一个岛状结构。所述多个埋入式漏极氧化层岛状结构的每一个都具有在第一半导体层的剩余部分的上部表面上延伸的一上部表面。对埋入式漏极氧化层岛状结构的上部表面和绝缘层进行研磨，以形成大体上平坦的表面。移除绝缘层的剩余物以暴露第一半导体层的剩余部分的上部表面。将具有大体均匀厚度的半导体间隔层形成于埋入式漏极氧化层岛状结构的上部表面的顶部和第一半导体层的剩余部分上，在第一半导体层的剩余部分上形成多个凹槽，每一凹槽都包括一暴露的内部表面。移除半导体间隔层的一部分以暴露所述多个埋入式漏极氧化层岛状结构的上部表面和第一半导体层的上部表面的至少一部分。移除埋入式漏极氧化层的一部分以暴露半导体间隔层的剩余物。将绝缘堆叠结构形成于埋入式漏极氧化层、第一半导体层和半导体间隔层的暴露部分上。将第二半导体层形成于绝缘堆叠结构的顶部上。

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

图1A至1D是制造快闪存储器元件的方法的多个变化的步骤流程图。

图2至13是经历根据图1中方法的第一变化的一系列依次的制造步骤的快闪存储器元件的剖面示意图。