[发明专利]制造快闪记忆元件的方法

权利要求书

1.一种制造快闪存储器元件的方法，其特征在于所述快闪存储器元件包括半导体间隔层，所述半导体间隔层与第一半导体层可操作地接触以形成浮置栅极，所述制造快闪存储器元件的方法包含：

提供半导体基底；

形成所述第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成绝缘层；

移除所述第一半导体层的一部分以暴露所述半导体基底的一部分；

覆盖氧化层于暴露的所述半导体基底的一部分以形成多个氧化层岛状结构，所述多个氧化层岛状结构的每一个都具有在所述第一半导体层的剩余部分的上部表面上延伸的上部表面；

移除所述绝缘层以暴露所述第一半导体层的剩余部分的上部表面；

在所述氧化层岛状结构的上部表面的顶部和所述第一半导体层的剩余部分上形成具有均匀厚度的半导体间隔层，在所述第一半导体层的剩余部分上形成多个凹槽；

移除所述半导体间隔层的一部分以暴露所述氧化层岛状结构的顶部；以及

移除所述氧化层岛状结构的上部部分直到暴露出所述第一半导体层。

2.如权利要求1所述的制造快闪存储器元件的方法而形成的快闪存储器元件。

3.一种制造快闪存储器元件的方法，其特征在于包含：

提供半导体基底；

在所述半导体基底上形成介电层；

在所述介电层上形成第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成绝缘层；

移除所述第一半导体层的一部分以暴露所述介电层的一部分；

在所述基底中形成多个埋入式漏极；

提供形成多个岛状结构的埋入式漏极氧化层，每一所述岛状结构定位于所述埋入式漏极的一个的顶部上，且每一所述岛状结构都具有在所述第一半导体层的剩余部分的上部表面上延伸的上部表面；

移除所述绝缘层以暴露所述第一半导体层的剩余部分的上部表面；

在所述岛状结构的上部表面的顶部和所述第一半导体层的剩余部分上形成具有均匀厚度的半导体间隔层，在所述第一半导体层的剩余部分上形成多个凹槽；

在所述半导体间隔层的顶部上形成足够的厚度的氧化层，以填充所述凹槽的每一个；

移除形成于所述半导体间隔层的顶部上的所述氧化层的一部分，以暴露所述半导体间隔层的一部分，但将所述氧化层的剩余部分留在所述凹槽中；

移除所述半导体间隔层的一部分以暴露所述岛状结构的上部表面；以及

移除形成于所述半导体间隔层的顶部上的所述氧化层的剩余物和所述埋入式漏极氧化层的一部分，以暴露包括所述凹槽的每一个的内部表面的所述半导体间隔层的剩余物和所述第一半导体层的一部分。

4.如权利要求3所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于进一步包含：

在所述埋入式漏极氧化层、所述第一半导体层和所述半导体间隔层的暴露部分上形成绝缘堆叠结构；以及

在所述绝缘堆叠结构的顶部上形成第二半导体层。

5.如权利要求4所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于其中所述第二半导体层形成控制栅极。

6.如权利要求4所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于其中所述第一半导体层、所述半导体间隔层和所述第二半导体层每一个都由多晶硅形成。

7.如权利要求4所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于其中所述绝缘堆叠结构是氧化物-氮化物-氧化物结构。

8.如权利要求3所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于进一步包含在所述岛状结构的顶部上形成所述半导体间隔层之前，移除所述岛状结构的每一个的外部表面。

9.如权利要求8所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于其中使用清洁工艺来执行移除所述岛状结构的每一个的外部表面。

10.如权利要求3所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于其中使用研磨工艺来执行移除形成于所述半导体间隔层的顶部上的所述氧化层的一部分，以暴露所述半导体间隔层的一部分。

11.如权利要求10所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于其中所述研磨工艺移除所述氧化层向下直到所述半导体间隔层，但不移除所述半导体间隔层。

12.如权利要求3所述的制造快闪存储器元件的方法，其特征在于其中所述绝缘层由氮化硅形成。