[发明专利]电镀于封胶内的无外引脚半导体封装构造及其制造方法

权利要求书

1.一种无外引脚半导体封装构造，其特征在于其包含：

一半蚀导线架，其具有复数个引脚及复数个被该些引脚连接的外接垫；

一晶片，其电性连接至该些引脚；

一封胶体，其密封该晶片与该些引脚，该封胶体具有复数个沉孔，其对准于该些外接垫；以及

一电镀层，其形成于该些外接垫且嵌设于该些沉孔内。

2.根据权利要求1所述的无外引脚半导体封装构造，其特征在于其中所述的封胶体的该些沉孔的孔径是略小于该些外接垫，以界定该些外接垫的显露面积。

3.根据权利要求1所述的无外引脚半导体封装构造，其特征在于其中所述的半蚀导线架另具有一晶片承座，以粘着该晶片。

4.根据权利要求3所述的无外引脚半导体封装构造，其特征在于其中所述的封胶体另具有一下沉区，其是局部显露该晶片承座的下表面，以利嵌埋式形成该电镀层。

5.根据权利要求3所述的无外引脚半导体封装构造，其特征在于其中所述的半蚀导线架另具有复数个系杆，其连接该晶片承座且被该封胶体上下包覆。

6.根据权利要求1所述的无外引脚半导体封装构造，其特征在于其中所述的封胶体的该些沉孔的深度是介于0.05～0.2毫米。

7.根据权利要求1所述的无外引脚半导体封装构造，其特征在于其中所述的该电镀层是选用于镍金、锡、镍钯金、锡铅、银、锡铋的其中之一。

8.根据权利要求1或7所述的无外引脚半导体封装构造，其特征在于其另包含有复数个焊球，其是经由该电镀层而接合至该些外接垫。

9.根据权利要求1所述的无外引脚半导体封装构造，其特征在于其中所述的该些外接垫是为多排交错排列。

10.一种无外引脚半导体封装构造的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一导线架，其具有复数个引脚及复数个被该些引脚连接的外接垫；

进行第一次半蚀刻步骤，以半蚀刻该些引脚的下表面；

在第一次半蚀刻之后，固定一晶片，并且其是电性连接至该些引脚；

形成一封胶体，其是密封该晶片与该些引脚；

当该封胶体形成之后，进行第二次半蚀刻步骤，以半蚀刻该些外接垫的下表面，而使该封胶体具有复数个对准于该些外接垫的沉孔；以及

形成一电镀层于该些外接垫上，并且该电镀层是嵌设于该些沉孔内。

11.根据权利要求10所述的无外引脚半导体封装构造的制造方法，其特征在于其中所述的第一次半蚀刻步骤中，同时半蚀刻该些外接垫的下表面周缘，使得在第二次半蚀刻步骤中形成的该些沉孔的孔径是略小于该些外接垫，以界定该些外接垫的显露面积。

12.根据权利要求10所述的无外引脚半导体封装构造的制造方法，其特征在于其中所述的半蚀导线架另具有一晶片承座，以粘着该晶片。

13.根据权利要求12所述的无外引脚半导体封装构造的制造方法，其特征在于其中所述的第二次半蚀刻步骤中，同时半蚀刻该晶片承座的下表面，以使该封胶体另具有一下沉区。

14.根据权利要求12所述的无外引脚半导体封装构造的制造方法，其特征在于其中所述的半蚀导线架另具有复数个系杆，其连接该晶片承座，且在第一次半蚀刻步骤中，同时半蚀刻该些系杆的下表面，以供该封胶体上下包覆该些系杆。

15.根据权利要求10所述的无外引脚半导体封装构造的制造方法，其特征在于其中所述的封胶体的该些沉孔的深度是介于0.05～0.2毫米。

16.根据权利要求10所述的无外引脚半导体封装构造的制造方法，其特征在于其中所述的电镀层是选用于镍金、锡、镍钯金，锡铅、银、锡铋的其中之一。

17.根据权利要求10或16所述的无外引脚半导体封装构造的制造方法，其特征在于其另包含有：设置复数个焊球至该些沉孔，其经由该电镀层而接合至该些外接垫。

18.根据权利要求10所述的无外引脚半导体封装构造的制造方法，其特征在于其中所述的该些引脚的长度是为不一致，以使该些外接垫为多排交错排列。