[发明专利]影像感测器的玻璃覆晶封装构造有效
| 申请号: | 200610111275.8 | 申请日: | 2006-08-21 |
| 公开(公告)号: | CN101132012A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
| 发明(设计)人: | 黄祥铭;刘安鸿;林勇志;李宜璋 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
| 地址: | 台湾省新竹县新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 影像 感测器 玻璃 封装 构造 | ||
技术领域
本发明涉及一种能取代球格阵列(BGA)或平面栅格阵列(LGA)的影像感测器封装技术,特别是涉及一种可解决现有影像感测封装构造在对外电性连接之后无法调整晶片感测区位置与角度的问题,还可供重复插接至外部电子元件达到模组化设计的影像感测器的玻璃覆晶封装构造。
背景技术
在早期的影像感测器封装构造中,是利用打线技术电性连接晶片与基板,例如中国台湾专利号第I221329号所揭露,影像感测晶片是粘贴于一基板(小尺寸印刷电路板)上,打线形成的导线是电性连接影像感测晶片与基板,一框形物设置于基板上,以能结合一透光玻璃于晶片上方,使晶片与导线置于一气密空间内。另外,在基板的下方设置有格状阵列的焊球或金属垫,以成为球格阵列(BGA)或平面栅格阵列(LGA)封装型态。当现有习知的影像感测器封装构造表面接合至一外部印刷电路板时,焊球或金属垫是焊接至外部印刷电路板的连接垫,同时达到电性连接与机械结合。然而焊球或接合金属垫的锡膏在回焊时有相当大的水平误差变化,加上晶片与基板均被固定无法移动,无法调整影像感测的角度与方向,使得影像感测器无法正确感测到正确位置的影像。此外,打线连接的影像感测器封装构造整体外观过大,无法进一步更加微小化以装设于可携式电子产品。
如中国台湾专利号第I242819号所揭示,原申请人提出另一种已有的影像感测器封装构造,其是为玻璃覆晶(Chip-On-Glass)封装型态,以达到微小化。请参阅图1所示,是现有习知的影像感测器的玻璃覆晶封装构造的截面示意图。现有习知的影像感测器的玻璃覆晶封装构造100,包含一玻璃基板110、一影像感测晶片120以及一绝缘保护层130。该玻璃基板110的上表面形成设有复数个线路111。该影像感测晶片120覆晶接合于该玻璃基板110,该影像感测晶片120具有一包含有感测区123的主动面121及一背面122,该影像感测晶片120的主动面121形成设有复数个凸块124,而该些凸块124是连接至该些线路111。另以一密封胶125包覆该些凸块124与气闭密封该感测区123。该绝缘保护层130是为封胶材料,其形成于该玻璃基板上并覆盖至该影像感测晶片120的背面122。复数个导通孔140贯穿该绝缘保护层130并电性导通至该些线路111。并且将复数个外接垫150设置于该绝缘保护层130上,并连接该些导通孔140。因此,此一影像感测器的玻璃覆晶封装构造100可为晶片卡型态,可接触式插接至一槽座。但是在插接之后,仍然无法调整影像感测晶片120的感测区123的水平位置与感测角度。
由此可见,上述现有的影像感测器的玻璃覆晶封装构造在结构与使用上,显然仍存在有不便与缺陷,而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来一直未见适用的设计被发展完成,而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题,此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的影像感测器的玻璃覆晶封装构造,实属当前重要研发课题之一,亦成为当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的影像感测器的玻璃覆晶封装构造存在的缺陷,本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识,并配合学理的运用,积极加以研究创新,以期创设一种新型的影像感测器的玻璃覆晶封装构造,能够改进一般现有的影像感测器的玻璃覆晶封装构造,使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经过反复试作样品及改进后,终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于,克服现有的影像感测器的玻璃覆晶封装构造存在的缺陷,而提供一种新型的影像感测器的玻璃覆晶封装构造,所要解决的技术问题是使其可以解决现有习知的影像感测封装构造在对外电性连接之后,无法调整晶片感测区位置与角度的问题,从而更加适于实用。
本发明的另一目的在于,提供一种新型的影像感测器的玻璃覆晶封装构造,所要解决的技术问题是使其包含的扇出型软性电路板的外接部相对于其接触指的另一表面是结合有一补强板,而可以供重复插接至外部电子元件达到模组化设计,从而更加适于实用。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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