[发明专利]用于承载导线架的加热治具

说明书

技术领域

本发明涉及一种加热治具，特别是关于一种用于承载导线架的加热治具。

背景技术

在半导体封装制造过程中，一导线架通常用于承载芯片。该导线架的材料可采用导电性金属，如铜或铜合金，而电镀在该导线架内引脚的金属层，其材料可采用银或金等，以增强导电性。与金相比较，银的材料成本较低，因此，该导线架内引脚的金属层通常使用银。

参考图1a与1b，现有导线架120包括复数个外引脚122、内引脚124以及一芯片承座126。该导线架120还包括复数个支撑肋条128，用于支撑该芯片承座126。一含银金属层以及一含锡金属层可藉由电镀制造过程分别形成在该内引脚124以及外引脚122上。一般而言，该导线架120以铜为主要金属成份，掺杂有其它微量金属成分，并经由蚀刻或冲压成型。

具有导线架的封装构造的制造方法包括下列步骤：提供一导线架120，该导线架具有一芯片承座126以及复数个内引脚124以及外引脚122；将该导线架120的芯片承座126以及内引脚124电镀一层银合金，以增强导电性；在该导线架120的外引脚122上电镀一层锡合金，使该导线架120具有抗高温以及高润湿性等特性；将一芯片110黏固在该芯片承座126上，并藉由一现有的打线接合制造过程，即利用复数条焊线116(如金线)，将该芯片110电性连接于该内引脚124；藉由一封胶体130封装该芯片110、该芯片承座126以及该内引脚124；以及冲切该外引脚122，使其成为单一封装构造100，如图2所示。

参考图3，在进行上述打线接合制造过程时，通常将该导线架120以及芯片110放置在一具有空穴202的加热块(heat block)200上。该导线架120的芯片承座126放入该加热块200的空穴202内，如此使该加热块200完全地承载该导线架120的芯片承座126、内引脚124以及外引脚122。如果将该加热块200的温度尽量提高(如，约摄氏200度)，则可增加该内引脚124的温度，从而提高焊接焊线116时的共晶效果，而使焊线116易连接到该内引脚124上。

由于该加热块200是一体成型制造的，因此在增加该内引脚124的温度时，同时也增加了该芯片承座126的温度。然而，如该芯片承座126底面127的温度超过约摄氏180～200度，则可能会发生氧化现象。这一氧化现象将导致封装后该封胶体130与该芯片承座126底面127之间出现脱层。此外，受限于该芯片承座126的底面温度不得超过约摄氏180～200度这一条件，因此，该加热块200的温度只能提高到约摄氏200度而已，如此将限制焊接焊线116时取得较佳的共晶效果。

因此，极有必要提供一种打线接合加热治具，以解决上述缺点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于承载导线架的加热治具，用于将该导线架的芯片承座以及引脚同时加热.在将内引脚增加到一预定温度值时，不会同时增加该芯片承座到相同的预定温度值.

为实现上述目的，本发明提供一种用于承载导线架的加热治具，该加热治具用于在打线接合制造过程期间承载一导线架，该导线架包括一芯片承座以及复数条引脚。该加热治具包括一治具本体以及一隔热元件。该治具本体用于承载及加热该导线架的引脚。该隔热元件固定于该治具本体，并用于承载该导线架的芯片承座，其中该隔热元件的热导系数低于该治具本体的热导系数。

与现有技术相比，由于本发明的治具本体与隔热元件并非一体成型制造(即，该隔热元件的热导系数低于该治具本体的热导系数)，因此在增加该内引脚的温度到一预定温度值时，不会同时增加该芯片承座到相同的预定温度值。虽然受限于该芯片承座的底面温度不得超过约摄氏180度这一条件，但是该治具本体的T1温度仍可提高到约大于摄氏200度，如此将大幅度提升焊接焊线时的共晶效果。

以下结合附图与实施例对本发明作进一步的说明。

附图说明

图1a与1b为现有导线架的剖面示意图。

图2为现有的一具有导线架的封装构造的剖面示意图。

图3为现有的打线接合制造过程的剖面示意图。

图4为本发明第一实施例的加热治具的剖面示意图，显示其承载一导线架以及一芯片。

图5a与5b为本发明第一实施例的加热治具的分解以及组合的剖面示意图。

图6a与6b为本发明第二实施例的加热治具的分解以及组合的剖面示意图。

图7a与7b为本发明第三实施例的加热治具的分解以及组合的剖面示意图。

图8a与8b为本发明的隔热元件的平面以及剖面示意图。