[发明专利]铜箔的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种铜箔的制造方法，具体地涉及一种具有低粗糙度的电解 铜箔的制造方法。

背景技术

铜箔(copper foil)为电子产业的基础原料，以电解法制造的铜箔生箔对其 施予对应的后续处理后，可应用于如锂电池阴极集电体、集成电路(IC)载板、 印刷电路板(PCB)或等离子体显示器(PDP)电磁波遮蔽。然而，随着电子产品 功能的演进，产业界对铜箔产品性能的需求也不断提升。举例而言，铜箔是 印刷电路板上导电线路的构成材料，是组件间讯号传输的主要路径，当电子 产品走向高频化、可携化以及薄化的趋势时，则需要可细线化、低表面粗糙 度、高强度、高延展性且更薄的高性能电解铜箔，以满足实际应用上的需求。

目前铜箔相关业者对于铜箔粗糙度的分类概以Rz(十点平均粗糙度值， ISO1994)值大小为判定依据。粗糙度Rz在5μm以上属于STD(Standard)级、 粗糙度Rz在3～5μm属于VLP(Very Low Profile)级，至于粗糙度Rz小于3μm 则归类为ULP(Ultra Low Profile)级。其中ULP等级的铜箔因为最能契合电 子产品细线化的发展趋势，所以目前已成为所有铜箔业者一致积极追求的目 标。

为了降低电解铜箔表面的粗糙度，业界目前常用的方法是在酸性硫酸铜 溶液中加入添加剂，并通过调整添加剂的种类及浓度以达到铜箔表面粗糙度 的降低。例如特开平2002-129373、US5858029及US5431803即是通过降 低镀液中氯离子浓度至低于1ppm以下，以便经由抑制铜箔柱状晶组织的产 生而达成降低铜箔的表面粗糙度。然而，因受限于氯离子极易残存于铜镀液 的各项原料来源及工艺环境中，因此欲维持氯离子浓度小于1ppm并不容易， 导致工艺的稳定性差。另外镀液中氯离子浓度的降低，也将因其伴生的去极 化作用的降低，而使铜电镀电压增大，并导致能源消耗增大的副作用。因此 目前电解铜箔业者大多仍采用高氯工艺(即氯离子浓度30ppm以上)。

另外针对电极表面尖端放电现象的抑制，也有经由特定吸附型添加剂的 添加，以通过减缓电极表面凸部的电镀速率而达成降低铜箔表面粗糙度的方 法。例如特开平10-036991公开的羧甲基纤维素；特开平10-036991及US 5215654公开的硫脲；以及特开平08-058791公开的混合明胶、硫脲、多醣 体等的添加剂即是。此类方法虽可降低粗糙度但其降低效果一般有限，针对 10μm厚度的铜箔而言，其粗糙度Rz值约只能到达3μm左右，而且容易引 发铜箔的脆化问题。

另外，由于金属表面粗糙度的降低，也容易引发金属镀膜光泽度的提升， 因此光泽铜电镀技术，例如US 3328237、US 4336114及特开平09-143785， 也应是一种可有效降低铜箔表面粗糙度的方法。此对策方案虽具有良好的抑 制粗糙度的效果，然而常规光泽电镀技术的作业条件需以低温及低电流密度 进行才能够获得粗糙度较低的铜箔，相较于目前电解铜箔业者常用的高温及 高电流密度的作业条件有所违背，因此不能满足业界的需求而仍有进一步改 善空间。

因此，目前业界需要一种能达到ULP等级铜箔又可适用于现今电解铜 箔业界作业条件的制作技术。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种铜箔的制造方法，可以有效降低 铜箔表面的粗糙度。本发明又一目的在于提供一种电解铜箔的制造方法，可 以适用于高温及高电流密度的工艺。

根据上述目的，本发明提供一种铜箔的制造方法，包括：提供阴极；提 供阳极；提供电解液，其中含有硫酸、硫酸铜及若丹明系化合物；以及提供 电流于该阴极及该阳极，以进行电解铜箔的工艺。

根据上述目的，本发明提供一种电解铜箔的制造方法，包括：使用含硫 酸铜的硫酸溶液为电解液以进行电解铜箔工艺，该含硫酸铜的硫酸溶液之中 包含有机二价硫化合物、聚醚类化合物以及若丹明系化合物。

附图说明

图1绘示本发明一个实施例的电解铜箔的制作方法。

主要组件符号说明

10～阳极；

20～阴极；

30～电解液；

100～铜箔生箔；

101～铜箔生箔于电解液侧的表面；

102～铜箔生箔于阴极侧的表面。

具体实施方式