[发明专利]铜箔的制造方法有效
| 申请号： | 200610110759.0 | 申请日： | 2006-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101122035A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 陈友忠;李鸿坤;翁荣洲 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | C25D1/04 | 分类号： | C25D1/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铜箔 制造 方法 | ||
1.一种铜箔的制造方法，包括：
提供阴极；
提供阳极；
提供电解液，其中含有硫酸、硫酸铜及若丹明系化合物；以及
提供电流于该阴极及该阳极，以进行电解铜箔的工艺；
其中，所述电解铜箔工艺的电流密度为60至70A/dm2，且该电解铜箔 工艺于50至70℃的温度下实施。
2.根据权利要求1的铜箔的制造方法，其中该电解液还包含有机二价 硫化合物。
3.根据权利要求1的铜箔的制造方法，其中该电解液还包含聚醚类化 合物。
4.根据权利要求1的铜箔的制造方法，其中该电解液含氯离子浓度30 至100ppm。
5.根据权利要求2的铜箔的制造方法，其中该有机二价硫化合物包括 聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)。
6.根据权利要求3的铜箔的制造方法，其中该聚醚类化合物包括聚乙 二醇(PEG)或聚丙二醇(PPG)。
7.根据权利要求1的铜箔的制造方法，其中该若丹明系化合物包括若 丹明B或若丹明6G。
8.一种电解铜箔的制造方法，包括：
使用含硫酸铜的硫酸溶液为电解液以进行电解铜箔工艺，该含硫酸铜的 硫酸溶液之中包含有机二价硫化合物、聚醚类化合物以及若丹明系化合物， 其中，所述电解铜箔工艺的电流密度为60至70A/dm2，且该电解铜箔工艺 于50至70℃的温度下实施。
9.根据权利要求8的电解铜箔的制造方法，其中该含硫酸铜的硫酸溶 液含氯离子浓度30至100ppm。
10.根据权利要求8的电解铜箔的制造方法，其中该有机二价硫化合物 包括聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)。
11.根据权利要求8的电解铜箔的制造方法，其中该聚醚类化合物包括 聚乙二醇(PEG)或聚丙二醇(PPG)。
12.根据权利要求8的电解铜箔的制造方法，其中该若丹明系化合物包 括若丹明B或若丹明6G。
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