[发明专利]与非门型非挥发性存储器及其制造方法与操作方法

权利要求书

1.一种与非门型非挥发性存储器，包括多个存储单元行，各该存储单元行包括：

源极区与漏极区，设置在基板中；

多个存储单元，设置在该源极区与该漏极区之间的该基板上，各该存储单元包括存储单元与晶体管，该存储单元与该晶体管并联连接在一起；

多个传输栅极，分别设置在相邻两该存储单元之间的该基板上，而使该存储单元串联连接在一起；和

第一选择晶体管与第二选择晶体管，分别与最外侧的该两存储单元连接，且分别与该源极区与该漏极区相邻。

2.如权利要求1所述的与非门型非挥发性存储器，其中该传输栅极填满相邻两该存储单元之间的间隙。

3.如权利要求1所述的与非门型非挥发性存储器，其中各该存储单元由该基板起至少包括穿隧介电层、电荷储存层、栅间介电层与控制栅极。

4.如权利要求3所述的与非门型非挥发性存储器，其中该栅间介电层的材料包括氧化硅/氮化硅/氧化硅。

5.如权利要求3所述的与非门型非挥发性存储器，其中该电荷储存层的材料为掺杂多晶硅。

6.如权利要求3所述的与非门型非挥发性存储器，其中该穿隧介电层的材料包括氧化硅。

7.如权利要求3所述的与非门型非挥发性存储器，还包括多条元件隔离结构，平行设置在该基板中，各该存储单元行设置在相邻两元件结构之间。

8.如权利要求7所述的与非门型非挥发性存储器，其中该元件隔离结构的表面低于该电荷储存层与该基板间的接口而形成凹陷部，该控制栅极填满该凹陷部。

9.如权利要求8所述的与非门型非挥发性存储器，还包括门介电层，设置在该控制栅极与该基板之间，各该晶体管由该控制栅极、该门介电层和该基板构成。

10.如权利要求3所述的与非门型非挥发性存储器，其中该存储单元行，呈二维配置，而成存储单元阵列，该与非门型非挥发性存储器还包括：

多条字线，在列方向平行排列，且连接同一列的该些存储单元的该控制栅极和该些晶体管的栅极；

多条位线，在行方向平行排列，分别连接同一行的该存储单元行的该漏极区；

多条源极线，在列方向平行排列，分别连接同一列的该存储单元行的该源极区；

多条选择栅极线，在列方向平行排列，分别连接同一列的该存储单元行的该第一选择晶体管的栅极与该第二选择晶体管的栅极；和

多条传输栅极线，在列方向平行排列，分别连接同一列的该存储单元行的该传输栅极。

11.如权利要求10所述的与非门型非挥发性存储器，还包括多条元件隔离结构，设置在该基板中，且在行方向平行排列，各该存储单元行设置在相邻两元件结构之间。

12.如权利要求11所述的与非门型非挥发性存储器，其中该元件隔离结构的表面低于该电荷储存层与该基板间的接口而形成凹陷部，该控制栅极填满该凹陷部。

13.如权利要求12所述的与非门型非挥发性存储器，还包括门介电层，设置在该控制栅极与该基板之间，各该晶体管是由部分该控制栅极与该门介电层所构成。

14.一种与非门型非挥发性存储器的制造方法，包括：

提供基板，该基板上已依次形成有第一介电层、第一导体层与第二介电层；

图案该第一导体层，以形成平行排列的多个第一条状导体层，该第一条状导体层往第一方向延伸；

在该第一条状导体层之间的该基板中形成往该第一方向延伸的多条沟槽；

在该基板中的该些沟槽内形成多个隔离结构，该隔离结构的表面低于该第一条状导体层与该基板间的接口而形成凹陷部，并暴露出部分该基板；

在暴露出的部分该基板表面形成第三介电层；

在该基板上形成第二导体层，其中该第二导体层填满该凹陷部；

图案该第二导体层、该第二介电层及该第一条状导体层，以形成多个堆叠栅极结构，其中该第二导体层经图案之后，形成往第二方向延伸且平行排列的多个第二条状导体层；并且

在相邻该堆叠栅极结构之间和最外侧的该两堆叠栅极结构的侧壁形成多个第三条状导体层。

15.如权利要求14所述的与非门型非挥发性存储器的制造方法，其中该第一条状导体层经图案后形成多个浮置栅极。