[发明专利]电容器组的结构以及降低电容器之间的电容变异量的方法

权利要求书

1.一种电容器组的结构，其中，该结构包括配置于基板上同一位置的至少二电容器，该二电容器包括：

第一电容器，包括彼此并联的多个第一电容单元；及

第二电容器，包括彼此并联的多个第二电容单元，

其中该些第一电容单元与该些第二电容单元交错排列成一阵列。

2.如权利要求1所述的电容器组的结构，其中，该阵列为排列在平面上的二维阵列。

3.如权利要求2所述的电容器组的结构，其中，该平面与该基板的表面平行或垂直。

4.如权利要求1所述的电容器组的结构，其中，该阵列为三维阵列。

5.如权利要求4所述的电容器组的结构，其中，该些第一电容单元与该些第二电容单元仅在由两个维度方向所构成的平面上交错排列。

6.如权利要求5所述的电容器组的结构，其中，该些第一电容单元与该些第二电容单元排列的方式包括：在与该基板的表面垂直的方向上重复排列相同的电容单元，且在与该基板的表面平行的水平面上交错排列该些第一电容单元与该些第二电容单元。

7.如权利要求5所述的电容器组的结构，其中，该些第一电容单元与该些第二电容单元排列的方式包括：在与该基板的表面平行的水平方向上重复排列相同的电容单元，且在与该水平方向垂直的垂直面上交错排列该些第一电容单元与该些第二电容单元。

8.如权利要求4所述的电容器组的结构，其中，该些第一电容单元与该些第二电容单元在对应该三维阵列的三个坐标平面上皆交错排列。

9.如权利要求8所述的电容器组的结构，其中，该三维阵列的三个维度方向彼此正交，包括与该基板的表面垂直的一垂直方向及与该基板的表面平行的二水平方向。

10.如权利要求1所述的电容器组的结构，其中，该些第一电容单元与该些第二电容单元的数量与电容值皆相同。

11.如权利要求1所述的电容器组的结构，其中，该第一电容器与该第二电容器为金属-氧化层-金属电容器，或是金属-绝缘层-金属电容器。

12.如权利要求1所述的电容器组的结构，其中，

每一第一电容单元包括第一电极、第二电极及配置于该第一电极与该第二电极间的介电材料；

每一第二电容单元包括第三电极、第四电极及配置于该第三电极与该第四电极间的该介电材料；

该些第一电容单元的该些第一电极彼此电连接，且该些第二电极彼此电连接；以及

该些第二电容单元的该些第三电极彼此电连接，且该些第四电极彼此电连接。

13.如权利要求12所述的电容器组的结构，其中，该第一电容器与该第二电容器为金属-氧化层-金属电容器，且各该第一、第二、第三、第四电极皆呈梳状。

14.一种降低电容器之间的电容变异量的方法，包括：

将包括第一电容器与第二电容器在内的至少二电容器形成在基板上的同一位置，其方法包括：

形成彼此并联的多个第一电容单元与彼此并联的多个第二电容单元，以分别构成该第一电容器与该第二电容器，其中，该些第一电容单元与该些第二电容单元的数量与电容值皆相同，且交错排列成一阵列。

15.如权利要求14所述的降低电容器之间的电容变异量的方法，其中，该阵列为排列在平面上的二维阵列。

16.如权利要求15所述的降低电容器之间的电容变异量的方法，其中，该平面与该基板的表面平行或垂直。

17.如权利要求14所述的降低电容器之间的电容变异量的方法，其中，该阵列为三维阵列。

18.如权利要求17所述的降低电容器之间的电容变异量的方法，其中，些第一电容单元与该些第二电容单元仅在由两个维度方向所构成的平面上交错排列。

19.如权利要求18所述的降低电容器之间的电容变异量的方法，其中，该些第一电容单元与该些第二电容单元排列的方式包括：在与该基板的表面垂直的方向上重复排列相同的电容单元，且在与该基板的表面平行的水平面上交错排列该些第一电容单元与该些第二电容单元。