[发明专利]晶片封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体元件及其制造方法，特别是涉及一种晶片封装结构及其制造方法。

背景技术

在半导体产业中，集成电路(integrated circuits，IC)的生产主要可分为三个阶段：集成电路的设计(IC design)、集成电路的制作(ICprocess)及集成电路的封装(IC package)。

在集成电路的制作中，晶片(chip)是经由晶圆(wafer)制作、形成集成电路以及切割晶圆(wafer sawing)等步骤而完成。晶圆具有一主动面(active surface)，其泛指晶圆的具有主动元件(active devicc)的表面。当晶圆内部的集成电路完成之后，晶圆的主动面更配置有多个焊垫(bonding pad)，以使最终由晶圆切割所形成的晶片可经由这些焊垫而向外电性连接于一承载器(carrier)。承载器例如为一导线架(leadframe)或一封装基板(package substrate)。晶片可以打线接合(wire bonding)或覆晶接合(flip chip bonding)的方式连接至承载器上，使得晶片的这些焊垫可电性连接于承载器的接点，以构成一晶片封装结构。

请参阅图1所示，其为现有的一种晶片封装结构的剖面示意图。现有晶片封装结构100包括一线路基板(wiring substrate)110、一晶片120、多条焊线(bonding wire)130、一胶体(encapsulant)140与多个焊球(solderball)150。其中，线路基板110具有一第一表面112、一第二表面114与一贯孔(through hole)116，贯孔116连接第一表面112与第二表面114。此外，晶片120具有一主动面122与多个焊垫124，其中这些焊垫124配置于主动面122上，而线路基板110的第二表面114与晶片120的主动面122彼此相对，且贯孔116暴露出这些焊垫124。

这些焊线130分别连接这些焊垫124与线路基板110的第一表面112，且这些焊线130通过贯孔116。胶体140包覆(encapsulate)部分主动面122、这些焊线130与部分第一表面112，其中胶体140具有位于第一表面112上的一顶面142、一底面144与一侧壁146。胶体140的顶面142远离第一表面112，而底面144与部分第一表面112相接触，且底面144的面积大于顶面142的面积，使得侧壁146与第一表面112的垂直线之间形成一脱模角θ。

胶体140的外型是与封胶(molding)制程所使用模具(未绘示)的模穴的外型相同，而脱模角θ的功能是使得封胶完成的晶片封装结构100能顺利脱离封胶制程所使用的模具。因此在进行封胶制程时，不同尺寸的晶片封装结构100所使用的模具其上下部分的外型不一致，如此将增加模具制作的成本。此外，在进行封胶制程时，有时会产生溢胶(flash)现象而污染线路基板110的第一表面112。

发明内容

本发明的目的是提供一种晶片封装结构的制造方法，以改善在封胶制程中所产生溢胶现象。

本发明的另一目的是提供一种晶片封装结构，其封胶制程所使用的模具的制作成本较低。

为达上述或是其他目的，本发明提出一种晶片封装结构的制造方法，其包括下列步骤。首先，提供一线路基板。线路基板具有一第一表面、一第二表面与一贯孔，贯孔连接第一表面与第二表面。接着，提供一晶片。晶片具有一主动面与多个焊垫，这些焊垫配置于主动面上。接着，将晶片固着于线路基板上，其中线路基板的第二表面与晶片的主动面彼此相对且贯孔暴露出这些焊垫。之后，形成通过贯孔的多条焊线，其中这些焊垫分别借由这些焊线而电性连接至线路基板的第一表面。之后，形成一膜层(film)于线路基板的第一表面上，其中膜层具有一开孔(opening)，且开孔暴露出这些焊线、这些焊垫、贯孔与部分第一表面。然后，在开孔与贯孔内形成一胶体，以包覆部分主动面、这些焊线与部分第一表面。然后，移除膜层。

在本发明的一实施例中，上述的膜层的材质例如是包括聚亚酰胺(polyimide)等软性薄膜。

在本发明的一实施例中，上述移除膜层的方式包括撕除。

在本发明的一实施例中，上述的晶片封装结构的制造方法在形成胶体的步骤之前，更包括提供一第一模具与一第二模具，其中第一模具与第二模具共同形成一模穴，使得晶片、线路基板、这些焊线与膜层位于模穴内，而第一模具压着于膜层上且覆盖开孔，且第二模具覆盖晶片与线路基板的第二表面。