[发明专利]晶片封装结构及其制造方法有效
申请号: | 200610104061.8 | 申请日: | 2006-07-31 |
公开(公告)号: | CN101118861A | 公开(公告)日: | 2008-02-06 |
发明(设计)人: | 林俊宏;周世文;潘玉堂 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/498;H01L23/31 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹县新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种晶片封装结构的制造方法,其特征在于其包括:
提供一线路基板,该线路基板具有一第一表面、一第二表面与一贯孔,该贯孔连接该第一表面与该第二表面;
提供一晶片,该晶片具有一主动面与多个焊垫,该多个焊垫配置于该主动面上;
将该晶片固着于该线路基板上,其中该线路基板的该第二表面与该晶片的该主动面彼此相对且该贯孔暴露出该多个焊垫;
形成通过该贯孔的多条焊线,其中该多个焊垫分别借由该多条焊线而电性连接至该线路基板的该第一表面;
形成一膜层于该线路基板的该第一表面上,其中该膜层具有一开孔,且该开孔暴露出该多条焊线、该多个焊垫、该贯孔与部分该第一表面;
在该开孔与该贯孔内形成一胶体,以包覆部分该主动面、该多条焊线与部分该第一表面;以及
移除该膜层。
2.根据权利要求1所述的晶片封装结构的制造方法,其特征在于其中所述膜层的材质包括聚亚酰胺。
3.根据权利要求1所述的晶片封装结构的制造方法,其特征在于其中所述移除该膜层的方式包括撕除。
4.根据权利要求1所述的晶片封装结构的制造方法,其特征在于其中所述在形成该胶体的步骤之前,更包括提供一第一模具与一第二模具,其中该第一模具与该第二模具共同形成一模穴,使得该晶片、该线路基板、该多条焊线与该膜层位于该模穴内,而该第一模具压着于该膜层上且覆盖该开孔,且该第二模具覆盖该晶片与该线路基板的该第二表面。
5.根据权利要求1所述的晶片封装结构的制造方法,其特征在于其中所述在移除该膜层的步骤之后,更包括形成多个焊球于该线路基板的该第一表面上。
6.一种晶片封装结构,其特征在于其包括:
一线路基板,具有一第一表面、一第二表面与一贯孔,且该贯孔连接该第一表面与该第二表面;
一晶片,配置于该线路基板上且具有一主动面与多个焊垫,其中该多个焊垫配置于该主动面上,而该线路基板的该第二表面与该晶片的该主动面彼此相对,且该贯孔暴露出该多个焊垫;及
多条焊线,分别连接该多个焊垫与该线路基板的该第一表面,且该多条焊线通过该贯孔;以及
一胶体,包覆部分该主动面、该多条焊线与部分该第一表面,其中该胶体具有位于该第一表面上的一顶面与一底面,该顶面远离该第一表面,而该底面与部分该第一表面相接触,且该顶面的宽度与该底面的宽度的差值的二分之一除以该顶面与该底面之间距离比值的绝对值小于等于0.2。
7.根据权利要求6所述的晶片封装结构,其特征在于其更包括多个焊球,配置于该线路基板的该第一表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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