[发明专利]薄膜晶体管阵列

说明书

技术领域

本发明有关于一种薄膜晶体管阵列(thin film transistor array，TFTarray)，且特别有关于一种能够提高显示器显示亮度均匀性的薄膜晶体管阵列。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器主要由薄膜晶体管阵列、彩色滤光片(color filter)和液晶层(liquid crystal layer)所构成。图1为现有的薄膜晶体管阵列的局部示意图。请参照图1，薄膜晶体管阵列100主要是由以阵列排列的多个像素结构110所构成。其中，各个像素结构110均是由扫描配线(scan line)112、数据配线(dateline)114、薄膜晶体管116以及与薄膜晶体管116电性连接的像素电极(pixelelectrode)118所组成。

请继续参照图1，薄膜晶体管116是用来作为像素结构110的开关元件，而扫描配线112与数据配线114则是用来提供其所选定的像素结构110适当的操作电压，以分别驱动各个像素结构110而显示影像。此外，像素结构110还包括有辅助电极120，配置于薄膜晶体管阵列100的共用配线130上方。

图2为现有的一种薄膜晶体管液晶显示器的单一像素的等效电路示意图。请参照图2，在现有的薄膜晶体管液晶显示器的单一像素中，通常包含一薄膜晶体管116、一液晶电容C_LC以及一存储电容(storage capacitance)C_st。

请同时参照图1及图2，液晶电容C_LC是由薄膜晶体管阵列100上的像素电极118与彩色滤光片上的共用电极(common electrode)(未示出)耦合而成。存储电容C_st则是由辅助电极120与共用配线130耦合而成。另外，薄膜晶体管116的栅极G、源极S以及漏极D分别与扫描配线112、数据配线114以及像素电极118连接。而且，由于薄膜晶体管116的栅极G与漏极D之间有互相重叠的区域，因此在栅极G与漏极D之间会存有一栅极-漏极寄生电容(parasitic capacitance)C_gd。

请继续参照图1及图2，由于施加在液晶电容C_LC上的电压(也就是施加于像素电极118与共用电极上的电压)与液晶分子的光穿透率之间具有特定关系，因此只要依据所要显示的画面来控制施加在液晶电容C_LC上的电压，即可使显示器显示预定画面。其中，当薄膜晶体管116关闭时，液晶电容C_LC上的电压是保持一定值(也就是处于保持(holding)状态)，但由于栅极-漏极寄生电容C_gd的存在，液晶电容C_LC上所保持的电压将会随着数据配线114上的信号变化而有所改变(也就是所谓的耦合效应)，因而使得液晶电容C_LC上所保持的电压偏离原先设定值。此电压变动量称为馈通电压(feed-through voltage)ΔVp，其可表示为：

ΔV p = C gd C gd + C st + C LC Δ V g . . . . . . ( 1 ) ]]>