[发明专利]薄膜晶体管阵列

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列，包含：

一基板，具有多个像素区域；

多个薄膜晶体管，分别配置于各该像素区域内；

多个像素电极，分别配置于各该像素区域内而与薄膜晶体管电性连接；

多条共用配线，配置于该基板上，其中在各该像素区域内，像素电极是覆盖于共用配线上；以及

多个辅助电极，分别配置于各该像素区域内，并位于像素电极与共用配线之间，各该辅助电极与对应的该共用配线间具有一重叠区域，其中该重叠区域的面积为L×H，而该重叠区域的边长和大于2L×2H，且L、H均为正实数。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，该些辅助电极分别与对应的像素电极电性连接。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，还包括一绝缘层，配置于该些像素电极与该些辅助电极、该些源极及该些漏极之间。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，该绝缘层具有多个接触窗开口，而该些像素电极是分别填入该些接触窗开口而电性连接至该些辅助电极。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，各该辅助电极具有多个块状部与至少一颈缩部，且该颈缩部位于该些块状部之间。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，各该颈缩部呈梳状。

7.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，各该颈缩部呈连续弯折状。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，各该辅助电极包括多个块状电极，且各该块状电极互不相连。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，在各该像素区域内，该共用配线呈H型。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，各该辅助电极呈H型。

11.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，该薄膜晶体管的漏极呈H型。

12.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，该薄膜晶体管的栅极呈H型。