[发明专利]封装的集成电路元件无效
| 申请号: | 200610092438.2 | 申请日: | 2006-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN101083237A | 公开(公告)日: | 2007-12-05 |
| 发明(设计)人: | 金在俊 | 申请(专利权)人: | 株式会社迷你模组 |
| 主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/488;H01L23/50 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装 集成电路 元件 | ||
技术领域
本发明涉及封装的集成电路元件,且尤其涉及其中提供形成于有源表面处的至少一个衬垫和沿侧面与无源表面连接的导线的封装的集成电路元件,以使在所述衬垫与所述无源表面(或侧面或有源表面的相对面)之间的连接通过再分布衬底来执行。
背景技术
通常,集成电路(IC)是指一种电路,其中如晶体管、二极管、电阻器、电容器等的电路元件密集集成于半导体衬底上从而形成封装结构。在此处,封装是指一种工艺,其中电性连接通过晶片工艺所制造的每一芯片以用作电子部件,且所连接的电子部件被密封封装以保护其免受外部冲击。
在常规封装集成电路元件中,常规使用晶片制造的芯片接合到芯片支撑座(chip support paddle),且芯片内部的电连接端子和作为封装的电连接端子的引线框使用电导线彼此连接。另外,所述封装集成电路元件使用如塑料或陶瓷的特定模塑材料密封模塑,以便保护封装的内部芯片和电导线。
随着多媒体和信息通信产业的新发展,对密集集成和高性能半导体芯片的需要不断增长。随着连接端子使用的增加,且随着芯片尺寸的减小,存在很多限制,归因于封装的物理和电特性而不是半导体芯片的制造工艺。因此,已经通过一种方法优选制造所述封装,在所述方法中使芯片内部的电连接端子与作为封装的电连接端子的引线框之间的距离变窄。
另外,作为不同于常规引线类型的球形的球栅阵列(BGA)封装的使用已经增长。所述类型的封装被开发并成为芯片级封装(CSP)类型,其中封装尺寸与安装芯片尺寸类似。
在新技术中,半导体衬底的有源表面和无源表面通过穿过半导体衬底的通孔彼此连接在一起。
韩国专利特许公开案第2001-0001159号揭示一种技术,其用于使用穿过半导体衬底的通孔将半导体衬底的有源表面和无源表面电性连接。
图1为说明使用通孔的常规芯片级封装的结构的图。
如图1中所示,在使用通孔的常规芯片尺寸的封装中,芯片级封装包括:半导体芯片110,具有有源表面114和无源表面116(特许公开文献中的下表面),多个接合衬垫112形成于所述有源表面114上;导线120,其将有源表面114和无源表面116电性连接,且沿半导体芯片110的侧面形成;金属线140,其通过导线120与特定接合衬垫112连接,且在无源表面116处形成对应于接合衬垫112的球形衬垫;封装构件130,用于封装接合衬垫112、金属线140和导线120;和焊料球150,形成于每一球形衬垫上。在上述芯片级封装的结构中,导线120是使用通孔形成,所述通孔沿其中提供半导体线的晶片水平处的划线形成。
然而,在使用通孔的常规芯片级封装中,因为接合衬垫和导线使用接合线连接,且金属线形成于半导体芯片的有源表面上,所以在密集半导体元件制造期间存在各种限制。尤其是,当制造如电荷耦合装置(CCD)、互补金属氧化物半导体(CMOS)等的光传感器封装时,在设计的可用性方面存在许多限制。
发明内容
本发明的目的在于提供克服常规技术中所遇到的问题的封装集成电路元件。
本发明的另一目的在于提供一种封装集成电路元件,在所述集成电路元件中形成于半导体衬底的有源表面上的衬垫和与无源表面连接的导线使用单独的再分布衬底电性连接。
本发明的又一目的在于提供一种封装集成电路元件,其能够使用具有坝状突起的再分布衬底防止外来物质进入形成于半导体衬底的有源表面上的传感器部件。
为了达到上述目的,提供一种封装集成电路元件,其包括:半导体衬底,具有形成于有源表面上的至少一个衬垫,其中形成沿侧面与无源表面连接的导线且对应于所述衬垫;和再分布衬底,啮合到所述半导体衬底以便将衬垫和导线电性连接。
为了达到上述目的,进一步提供一种封装集成电路元件,其包括:半导体衬底,包括有源表面和无源表面,所述无源表面为所述有源表面的相对侧面,光传感器及至少一个衬垫形成于所述有源表面上,且形成沿侧面与所述无源表面连接的导线且对应于所述衬垫;和再分布衬底,啮合到所述半导体衬底以便将衬垫和导线电性连接。
在此处,所述导线使用孔或孔的一部分形成,所述孔穿过半导体衬底,且所述孔通过钻孔方法或蚀刻方法形成。
导线由包括钨(W)、钛(Ti)、铝(Al)、锆(Zr)、铬(Cr)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、铅(Pb)、铟锡氧化物(ITO)和镍(Ni)当中的至少一者形成。
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