[发明专利]封装的集成电路元件无效
| 申请号: | 200610092438.2 | 申请日: | 2006-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN101083237A | 公开(公告)日: | 2007-12-05 |
| 发明(设计)人: | 金在俊 | 申请(专利权)人: | 株式会社迷你模组 |
| 主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/488;H01L23/50 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装 集成电路 元件 | ||
1.一种封装的集成电路元件,其特征在于其包括:
半导体衬底,具有形成于有源表面上的至少一个衬垫,其中形成沿侧面与无源表面连接的导线且对应于所述衬垫;以及
再分布衬底,其啮合到所述半导体衬底以使所述衬垫和所述导线电性连接。
2.根据权利要求1所述的封装的集成电路元件,其特征在于所述导线是使用孔或部分的所述孔所形成,其中所述孔穿过所述半导体衬底。
3.根据权利要求2所述的封装的集成电路元件,其特征在于所述孔是通过钻孔方法或蚀刻方法所形成。
4.根据权利要求1所述的封装的集成电路元件,其特征在于所述导线由包括钨(W)、钛(Ti)、铝(Al)、锆(Zr)、铬(Cr)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、铅(Pb)、铟锡氧化物(ITO)和镍(Ni)当中的至少一者形成。
5.根据权利要求1所述的封装的集成电路元件,其特征在于所述半导体衬底包括端子,而所述端子形成于无源表面上且与外部印刷电路板(PCB)的电路电性连接,且所述导线与所述端子电性连接。
6.根据权利要求5所述的封装的集成电路元件,其特征在于所述端子为连接金属的焊料球。
7.根据权利要求5所述的封装的集成电路元件,其特征在于所述端子为连接金属的焊料衬垫。
8.根据权利要求1所述的封装的集成电路元件,其特征在于所述半导体衬底包括端子,而所述端子形成于侧面上且与外部印刷电路板电性连接,且所述导线与所述端子电性连接。
9.根据权利要求8所述的封装的集成电路元件,其特征在于所述端子焊接到所述印刷电路板的衬垫。
10.根据权利要求5所述的封装的集成电路元件,其特征在于其进一步包括金属线,所述金属线在籽晶层处的所述导线与所述端子之间图案化电镀,其中所述籽晶层由铬、钛和钨化钛(TiW)当中的至少一种材料形成,所述图案化电镀以下列序列当中的一个序列执行:钛、铜、镍和金的序列,铬、铜、镍和金的序列,和钨化钛与镍的序列。
11.根据权利要求10所述的封装的集成电路元件,其特征在于当涂覆并图案化光致抗蚀剂时,图案化所述金属线且由处于安装所述端子状态下的密封构件密封。
12.根据权利要求10所述的封装的集成电路元件,其特征在于所述金属线由激光修整方法图案化,且由处于安装所述端子状态下的密封构件密封。
13.根据权利要求1所述的封装的集成电路元件,其特征在于所述半导体衬底与所述导线之间的部分使用热固性聚合化合物模塑。
14.根据权利要求1所述的封装的集成电路元件,其特征在于所述再分布衬底具有每一者分别与所述衬垫和所述导线接触的图案突起,且所述图案突起成对形成,且成对形成的所述图案突起涂覆有第一金属层。
15.根据权利要求14所述的封装的集成电路元件,其特征在于所述衬垫由含有铝为主要材料的金属层形成。
16.根据权利要求14所述的封装的集成电路元件,其特征在于所述第一金属层以下列材料序列当中的一个材料序列涂覆:铬、铜和钛的序列,钛、铜和镍的序列,铬、铜和镍的序列,和钛、钨和镍的序列,且每一材料涂覆50到25μm的厚度。
17.根据权利要求16所述的封装的集成电路元件,其特征在于所述第一金属层由以下方法当中的一种方法涂覆:沉积法、溅镀法、电镀法、非电解法、丝网印刷法和油墨印刷法。
18.根据权利要求14所述的封装的集成电路元件,其特征在于所述突起以图案化聚合化合物的方式形成。
19.根据权利要求14所述的封装的集成电路元件,其特征在于与所述图案突起接触的所述衬垫的上侧和所述导线均涂覆有第二金属层。
20.根据权利要求19所述的封装的集成电路元件,其特征在于所述第二金属层涂覆有金、镍、铝和铜当中的一者,厚度为100到5μm。
21.根据权利要求14所述的封装的集成电路元件,其特征在于所述再分布衬底为含有铟锡氧化物材料的玻璃衬底。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迷你模组,未经株式会社迷你模组许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610092438.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种真空压力浸渍工艺中的真空平衡法及其装置
- 下一篇:骨折治疗牵引复位装置





