[发明专利]形成金属氧化物半导体晶体管的方法

权利要求书

1.一种形成金属氧化物半导体晶体管的方法，包括:

提供基底；

于该基底上形成金属氧化物半导体晶体管；

于该基底上沉积氮化硅接触窗蚀刻中止层，以覆盖该金属氧化物半导体晶体管；以及

对该氮化硅接触窗蚀刻中止层进行紫外线固化程序，同时对该基底进行红外线处理，其中该红外线处理的功率密度是在0.7～14.1W/cm²之间。

2.如权利要求1所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中该红外线处理的功率密度是在1.4～7.0W/cm²之间。

3.如权利要求1所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中该紫外线固化程序的温度在摄氏150度至摄氏700度之间。

4.如权利要求1所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中该紫外线固化程序的时间在10秒至60分钟之间。

5.如权利要求1所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中该紫外线固化程序的UV光波长包含100nm～400nm波长区间。

6.如权利要求1所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中于该基底上形成该金属氧化物半导体晶体管的步骤后，还包括进行自行对准金属硅化工艺。

7.如权利要求1所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中于该基底上沉积该氮化硅接触窗蚀刻中止层的方法包括利用化学气相沉积工艺于该基底上沉积氮化硅层。

8.如权利要求1所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中该氮化硅接触窗蚀刻中止层包括压缩介电层或张力介电层。

9.一种形成金属氧化物半导体晶体管的方法，包括:

提供基底；

于该基底上形成金属氧化物半导体晶体管；

进行自行对准金属硅化工艺；以及

对该基底进行红外线处理，以修补该基底中的损伤，其中该红外线处理的功率密度是在0.7～14.1W/cm²之间。

10.如权利要求9所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中该红外线处理的功率密度是在1.4～7.0W/cm²之间。

11.如权利要求9所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中对该基底进行该红外线处理之后还包括:于该基底上沉积接触窗蚀刻中止层，以覆盖该金属氧化物半导体晶体管。

12.如权利要求11所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中于该基底上沉积该接触窗蚀刻中止层的方法包括利用化学气相沉积工艺于该基底上沉积氮化硅层。

13.如权利要求11所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中当该金属氧化物半导体晶体管是PMOS，则该接触窗蚀刻中止层为压缩介电层。

14.如权利要求11所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中当该金属氧化物半导体晶体管是NMOS，则该接触窗蚀刻中止层为张力介电层。