[发明专利]薄膜晶体管数组基板及其制造方法有效
申请号: | 200610084133.7 | 申请日: | 2006-05-25 |
公开(公告)号: | CN101079428A | 公开(公告)日: | 2007-11-28 |
发明(设计)人: | 许汉东 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/82;G02F1/133 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 李勇 |
地址: | 台湾省台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 数组 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明有关于一种液晶显示器组件,特别是有关于一种薄膜晶体管数组基板及其制造方法。
背景技术
一般液晶显示器的制造可大致区分为薄膜晶体管数组基板制程、彩色滤光片基板制程、液晶注入及液晶显示器模块组装。为了避免液晶显示器背光源发出的光线从液晶显示面板的非显示区散射至显示区,因此常在非显示区形成一遮光结构,此遮光结构环绕显示区的周边设置,用以防止因背光源的漏光造成显示区的显示画质降低。
遮光结构可以设置于薄膜晶体管数组基板,也可以设置于彩色滤光片基板,在一现有技术中,此遮光结构是与黑色矩阵(Black Matrix)同时形成于彩色滤光片基板,此黑色矩阵的材料通常使用铬金属,然而铬金属容易造成环境污染。因此,在另一现有技术中,是以黑色树脂取代铬金属,此方法虽然可以改善环境污染的问题,但是黑色树脂的遮光性却不如铬金属,因此可能产生显示品质降低的问题。
在另一现有技术中,是在薄膜晶体管数组基板的非显示区形成一遮光结构。参照图1,图1绘示一现有薄膜晶体管数组基板的俯视示意图,遮光结构114是一片状的金属层,位于薄膜晶体管数组基板110的非显示区112,虽然此遮光结构114具有良好的遮光效果,但是却容易造成片状剥落的缺陷。另一现有薄膜晶体管数组基板的遮光结构是形成多个孔洞于一片状金属层上,这些孔洞用以避免遮光结构产生片状剥落的情形,然而这些孔洞却容易造成漏光的现象。
如何改善遮光结构的设计,以兼顾环境保护、结构附着性及遮光效果,是目前急需克服的问题。
发明内容
本发明的目的就是在提供一种薄膜晶体管数组基板,此薄膜晶体管数组基板在非显示区具有一遮光结构,此遮光结构可以改善现有技术产生环境污染的问题。
本发明的另一目的就是在提供一种薄膜晶体管数组基板,此薄膜晶体管数组基板在非显示区具有一遮光结构,此遮光结构具有较佳的遮光效果及结构附着性。
本发明的又一目的就是在提供一种薄膜晶体管数组基板,此薄膜晶体管数组基板在非显示区具有一遮光结构,此遮光结构可以提高共通电压的稳定性。
根据以上所述的目的,提出一种薄膜晶体管数组基板,具有一显示区及一非显示区并且包括有一透明基板、多个像素单元及一具有多个遮光层的遮光结构。这些像素单元设置于该显示区,每一像素单元包括有一薄膜晶体管及一像素电极。所述遮光结构设置于该非显示区,其中,这些遮光层具有多个孔洞,且两相邻的遮光层的孔洞交错设置。
根据本发明一较佳实施例所述的薄膜晶体管数组基板,其中,所述遮光结构包括有一第一遮光层与一第二遮光层,且该第一遮光层与该第二遮光层的孔洞交错设置。
根据本发明一较佳实施例所述的薄膜晶体管数组基板,其中,所述薄膜晶体管具有一闸极层,该闸极层与该第一遮光层位于同一膜层。
根据本发明一较佳实施例所述的薄膜晶体管数组基板,其中,所述薄膜晶体管具有一源极与汲极层,该源极与汲极层与该第二遮光层位于同一膜层。
根据本发明一较佳实施例所述的薄膜晶体管数组基板,其中,所述非显示区具有一连接层,该连接层与该像素电极位于同一膜层。
根据本发明一较佳实施例所述的薄膜晶体管数组基板,其中,所述连接层电性连接该第一遮光层及该第二遮光层。
根据以上所述的目的,还提出一种薄膜晶体管数组基板的制造方法,其步骤包括有:首先,形成一闸极层于一透明基板的一显示区上,且同时形成具有多个孔洞的一第一遮光层于透明基板的一非显示区。接着,形成一绝缘层覆盖所述闸极层与所述第一遮光层。接着,形成一通道层于所述闸极层及所述绝缘层上。接着,形成一源极与汲极层于所述通道层上,且同时形成具有多个孔洞的一第二遮光层于所述非显示区,其中,所述第一遮光层的孔洞与所述第二遮光层的孔洞交错设置。接着,形成一介电层于所述显示区及非显示区。接着,形成多个显示区开口于所述介电层,以暴露出所述源极与汲极层。接着,形成一像素电极层于所述介电层之上。
根据本发明一较佳实施例所述的薄膜晶体管数组基板的制造方法,其中,所述绝缘层与介电层的材料相同。
根据本发明一较佳实施例所述的薄膜晶体管数组基板的制造方法,其中,形成显示区开口的步骤还包括形成多个非显示区开口,这些非显示区开口暴露出所述第一遮光层及所述第二遮光层。
根据本发明一较佳实施例所述的薄膜晶体管数组基板的制造方法,其中,形成像素电极层的步骤还包括形成一连接层,该连接层通过非显示区开口电性连接所述第一遮光层及所述第二遮光层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的