[发明专利]薄膜晶体管数组基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200610084133.7 申请日: 2006-05-25
公开(公告)号: CN101079428A 公开(公告)日: 2007-11-28
发明(设计)人: 许汉东 申请(专利权)人: 中华映管股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/82;G02F1/133
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 李勇
地址: 台湾省台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 数组 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管数组基板,具有一显示区及一非显示区,其特征在于,所述薄膜晶体管数组基板包含:

一透明基板;

多个像素单元,设置于所述显示区,每一像素单元包含一薄膜晶体管及一像素电极;以及

一遮光结构,具有多个互相堆叠的遮光层,设置于所述非显示区,每个所述遮光层具有一片状结构和多个孔洞,这些孔洞设置于该片状结构上,且两相邻堆叠的遮光层的孔洞交错设置。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管数组基板,其特征在于,所述遮光结构包含一第一遮光层与一第二遮光层,该第一遮光层与第二遮光层的孔洞交错设置。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管数组基板,其特征在于,所述薄膜晶体管具有一闸极层,该闸极层与所述第一遮光层位于同一膜层。

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管数组基板,其特征在于,所述薄膜晶体管具有一源极与汲极层,该源极与汲极层与所述第二遮光层位于同一膜层。

5.如权利要求2所述的薄膜晶体管数组基板,其特征在于,所述非显示区具有一连接层,该连接层与所述像素电极位于同一膜层。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管数组基板,其特征在于,所述连接层电性连接所述第一遮光层及所述第二遮光层。

7.一种薄膜晶体管数组基板的制造方法,包含:

形成一闸极层于一透明基板的一显示区,且同时形成具有一片状结构和多个孔洞的一第一遮光层于所述透明基板的一非显示区;

形成一绝缘层覆盖所述闸极层与所述第一遮光层;

形成一通道层于所述闸极层及所述绝缘层上;

形成一源极与汲极层于所述通道层上,且同时形成具有一片状结构和多个孔洞的一第二遮光层于所述非显示区;

其中,所述第一、第二遮光层上的多个孔洞均设置于相应遮光层的片状结构上,所述第一、第二遮光层相邻且相互堆叠,所述第二遮光层的孔洞与所述第一遮光层的孔洞交错设置;

形成一介电层于所述显示区及所述非显示区;

形成多个显示区开口于所述介电层,这些显示区开口暴露出所述源极与汲极层;以及

形成一像素电极层于所述介电层之上。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管数组基板的制造方法,其特征在于,所述绝缘层与所述介电层的材料相同。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管数组基板的制造方法,其特征在于,形成所述这些显示区开口的步骤还包含形成多个非显示区开口,这些非显示区开口暴露出所述第一遮光层及所述第二遮光层。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管数组基板的制造方法,其特征在于,形成所述像素电极层的步骤还包含形成一连接层,该连接层通过这些非显示区开口电性连接所述第一遮光层及所述第二遮光层。

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