[发明专利]薄膜晶体管数组基板及其制造方法有效
| 申请号: | 200610084133.7 | 申请日: | 2006-05-25 |
| 公开(公告)号: | CN101079428A | 公开(公告)日: | 2007-11-28 |
| 发明(设计)人: | 许汉东 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/82;G02F1/133 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 李勇 |
| 地址: | 台湾省台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 数组 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管数组基板,具有一显示区及一非显示区,其特征在于,所述薄膜晶体管数组基板包含:
一透明基板;
多个像素单元,设置于所述显示区,每一像素单元包含一薄膜晶体管及一像素电极;以及
一遮光结构,具有多个互相堆叠的遮光层,设置于所述非显示区,每个所述遮光层具有一片状结构和多个孔洞,这些孔洞设置于该片状结构上,且两相邻堆叠的遮光层的孔洞交错设置。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管数组基板,其特征在于,所述遮光结构包含一第一遮光层与一第二遮光层,该第一遮光层与第二遮光层的孔洞交错设置。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管数组基板,其特征在于,所述薄膜晶体管具有一闸极层,该闸极层与所述第一遮光层位于同一膜层。
4.如权利要求2所述的薄膜晶体管数组基板,其特征在于,所述薄膜晶体管具有一源极与汲极层,该源极与汲极层与所述第二遮光层位于同一膜层。
5.如权利要求2所述的薄膜晶体管数组基板,其特征在于,所述非显示区具有一连接层,该连接层与所述像素电极位于同一膜层。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管数组基板,其特征在于,所述连接层电性连接所述第一遮光层及所述第二遮光层。
7.一种薄膜晶体管数组基板的制造方法,包含:
形成一闸极层于一透明基板的一显示区,且同时形成具有一片状结构和多个孔洞的一第一遮光层于所述透明基板的一非显示区;
形成一绝缘层覆盖所述闸极层与所述第一遮光层;
形成一通道层于所述闸极层及所述绝缘层上;
形成一源极与汲极层于所述通道层上,且同时形成具有一片状结构和多个孔洞的一第二遮光层于所述非显示区;
其中,所述第一、第二遮光层上的多个孔洞均设置于相应遮光层的片状结构上,所述第一、第二遮光层相邻且相互堆叠,所述第二遮光层的孔洞与所述第一遮光层的孔洞交错设置;
形成一介电层于所述显示区及所述非显示区;
形成多个显示区开口于所述介电层,这些显示区开口暴露出所述源极与汲极层;以及
形成一像素电极层于所述介电层之上。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管数组基板的制造方法,其特征在于,所述绝缘层与所述介电层的材料相同。
9.如权利要求7所述的薄膜晶体管数组基板的制造方法,其特征在于,形成所述这些显示区开口的步骤还包含形成多个非显示区开口,这些非显示区开口暴露出所述第一遮光层及所述第二遮光层。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管数组基板的制造方法,其特征在于,形成所述像素电极层的步骤还包含形成一连接层,该连接层通过这些非显示区开口电性连接所述第一遮光层及所述第二遮光层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中华映管股份有限公司,未经中华映管股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610084133.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种利用混凝土多孔砖砌筑的复合保温墙体及其施工工艺
- 下一篇:高压散热器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





