[发明专利]一种平板显示器中的电极结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及平板显示领域一种新的电极结构，具体涉及宽视角技术的一种新的电极结构及其制造方法。

背景技术

普通TN形液晶显示器有视角窄的缺点，为了提高液晶显示器的视角，一些宽视角的方法被提出。

目前，在现有宽视角方法(例如，边缘场效应开关方法，即FFS)的设计中，将公共电极做在TFT器件的下面，利用公共电极和像素电极之间的电压，改变液晶分子的分布方向，达到显示效果。在这些方法中，为了防止扫描线之间短路，要通过光刻使公共电极形成图形。这样为了使公共电极在充电时候充电完全，需要用ITO将公共电极连接起来形成矩阵结构，同时，还要在有效显示区(Active area)以外通过金属引线将这些公共电极的图形连接起来，这样可以尽量将每个像素的公共电极图形之间的电压差减小，提高充电的效果。

如图1至1f所示，现有技术的像素矩阵结构包括透明绝缘衬底、形成在透明绝缘衬底上的公共电极1，形成在透明绝缘衬底上的一组栅线2和栅电极，形成在透明绝缘衬底和公共电极1上的一组连接公共电极的横向引线11，连接公共电极的横向引线11靠近栅线2的边沿且与栅线2平行。栅绝缘层3位于栅线和栅电极的上方，有源层和欧姆接触层4形成在栅电极上方的栅绝缘层上。源漏电极5和数据线形成在有源层和欧姆接触层4之上。钝化保护层6形成在源漏电极5的上方，且在漏电极上方形成钝化保护层过孔7，像素电极8形成在钝化保护层6之上，且通过钝化保护层过孔7与像素电极8连接；在上下公共电极上方的绝缘层和钝化保护层靠近栅线2处形成露出公共电极和横向引线11的过孔，并通过该过孔由透明导电薄膜实现公共电极的纵向连接10。其工艺流程如下：

首先在玻璃基板上沉积第一层透明薄膜(1st ITO)，再通过光刻形成公共电极1图形，如图1a所示。

接着，在基板上沉积金属薄膜，光刻形成栅线2和栅电极(Gate)，同时形成将公共电极8横向连接在一起的横向引线11，这是为了降低横向公共电极之间的电势差，如图1b所示。

制作栅绝缘层3薄膜、有源层和欧姆接触层4薄膜并光刻形成硅岛，如图1c所示。

制作金属薄膜并光刻形成源漏电极5和数据线，其中数据线和源电极为一体，如图1d所示。

制作钝化保护层6并光刻形成漏电极上的钝化保护层过孔7、公共电极上靠近栅线处的过孔，如图1e所示

制作透明电极薄膜，再用像素电极的光刻版，制作像素电极8和公共电极的纵向连接10，将纵向的公共电极之间的连接完成(利用上一步的过孔将这个连接完成)，如图1f所示。

尽管采用上述设计结构和制造方法减少了公共电极图形之间的电压差，提高充电的效果。但是，这样设计的缺点在于，公共电极电阻仍然较大，充电和放电的速度仍然较慢。此外，在该结构有效显示区(Active area)外，必须用金属引线进行连接以降低各个公共电极图形之间的电压差，这些金属引线与信号线和扫描线都存在着交叠的地方，会形成一些寄生电容，造成扫描线和信号线的延迟。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术的缺陷，提供一种平板显示器中的电极结构及其制造方法，从而可以提高像素充电和放电的速度，可以省略有效显示区(Active area)外用来降低各个公共电极图形之间的电压差的金属引线，避免由于这些金属引线与信号线和扫描线之间形成的寄生电容。

为了实现上述目的，本发明提供一种平板显示器中的电极结构，包括：玻璃基板，形成于玻璃基板上的公共电极、栅线、数据线、像素电极及TFT器件，公共电极位于像素电极的下方，且公共电极上制作有金属框状结构，并通过该框状结构实现相邻公共电极之间横向和纵向上的电连接。

其中，所述公共电极上的金属框状结构尺寸在与之对应的黑矩阵不透光部分的尺寸范围内。所述公共电极在横向上同相邻像素上的公共电极电连接是通过金属连接线进行连接的，金属连接线且位于数据线的下方，并于数据线之间通过绝缘层隔开。所述公共电极上的金属结构在纵向上的连接是通过导电薄膜进行连接的，金属引线位于栅线的上方，且于栅线通过绝缘层隔开，引线的两端通过过孔与公共电极上的金属框状结构相连。

为了实现上述目的，本发明同时还提供一种平板显示器中的电极结构的制造方法，包括：

步骤一，在绝缘衬底上沉积第一层透明薄膜，再通过光刻形成公共电极图形；

步骤二，在完成步骤一的基板上沉积金属薄膜，光刻形成栅线和栅电极、公共电极上金属框状结构、及横向上连接相邻像素的公共电极的横向引线；