[发明专利]一种平板显示器中的电极结构及其制造方法有效
| 申请号: | 200610082970.6 | 申请日: | 2006-06-23 |
| 公开(公告)号: | CN101093843A | 公开(公告)日: | 2007-12-26 |
| 发明(设计)人: | 刘宏宇 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/52;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/133 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘芳 |
| 地址: | 100176北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 平板 显示器 中的 电极 结构 及其 制造 方法 | ||
1、一种平板显示器中的电极结构,包括:玻璃基板,形成于玻璃基板上的公共电极、栅线、数据线、像素电极及TFT器件,公共电极位于像素电极的下方,其特征在于:公共电极上制作有金属框状结构,相邻公共电极之间通过该金属框状结构横向和纵向电连接。
2、根据权利要求1所述的像素电极结构,其特征在于:所述公共电极上的金属框状结构尺寸在与之对应的黑矩阵不透光部分的尺寸范围内。
3、根据权利要求1或2所述的电极结构,其特征在于:所述公共电极在横向上同相邻像素上的公共电极电连接是通过金属连接线进行连接的,金属连接线且位于数据线的下方,并于数据线之间通过绝缘层隔开。
4、根据权利要求1或2所述的电极结构,其特征在于:所述公共电极上的金属结构在纵向上的连接是通过导电薄膜进行连接的,金属引线位于栅线的上方,且于栅线通过绝缘层隔开,引线的两端通过过孔与公共电极上的金属框状结构相连。
5、一种平板显示器中的电极结构的制造方法,其特征在于,包括:
步骤一,在绝缘衬底上沉积第一层透明薄膜,再通过光刻形成公共电极图形;
步骤二,在完成步骤一的基板上沉积金属薄膜,光刻形成栅线和栅电极、公共电极上金属框状结构、及横向上连接相邻像素的公共电极的横向引线;
步骤三,在完成步骤二的基板上制作栅绝缘层薄膜、有源层和欧姆接触层薄膜并光刻形成硅岛;
步骤四,在完成步骤三的基板上制作金属薄膜并光刻形成源、漏电极和数据线;
步骤五,在完成步骤四的基板上制作钝化保护层并光刻形成漏电极上的钝化保护层过孔、及公共电极上靠近栅线处的过孔,使钝化保护层过孔露出栅线上的栅金属,使公共电极上靠近栅线处的过孔露出金属框状结构的金属;
步骤六,在完成步骤五的基板上制作第二层透明薄膜并光刻形成像素电极和公共电极的纵向连接,像素电极通过钝化保护层过孔与漏电极连接起来,公共电极的纵向连接通过公共电极上靠近栅线处的过孔,将纵向的公共电极连接起来。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





