[发明专利]主动组件数组基板及其制造方法无效
| 申请号: | 200610082855.9 | 申请日: | 2006-06-15 |
| 公开(公告)号: | CN101090095A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
| 发明(设计)人: | 刘梦骐;温佑良 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12;G02F1/133 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
| 地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 主动 组件 数组 及其 制造 方法 | ||
1.一种主动组件数组基板的制造方法,其特征在于包括:
提供一基板,该基板上已形成多条扫描线、多条数据线、多个主动组件、多条共享线、一第一介电层与一第二介电层,其中该扫描线与该数据线在该基板上定义出多个画素区域,而该共享线配置于该基板上,各该主动组件分别通过由相对应的该扫描线与该数据线控制,且该第一介电层由各该主动组件中延伸至该画素区域上方,而该第二介电层覆盖该扫描线、该数据线、该共享线、该主动组件与该第一介电层;
提供一半色调光罩,并利用该半色调光罩移除部分该第二介电层,以形成多个接触窗,并在部分各该画素区域上的该共享在线方形成一凹陷;以及
在各该画素区域上方形成一画素电极,而该画素电极与该共享线耦合成一储存电容,且各该画素电极经由相对应的该接触窗电性连接至该主动组件,
其中该储存电容区分为两种以上。
2.如权利要求1所述的主动组件数组基板的制造方法,其特征在于,所述各该画素区域上方的该凹陷与该共享线的重迭面积自该共享线的一端往另一端逐渐减少。
3.如权利要求1所述的主动组件数组基板的制造方法,其特征在于,所述各该共享线具有自两侧边缘向外延伸的多条分支,且该分支与该数据线平行。
4.如权利要求1所述的主动组件数组基板的制造方法,其特征在于,形成该接触窗与该凹陷的步骤包括:
利用该半色调光罩在该第二介电层上形成一图案化光阻层;
以该图案化光阻层为罩幕,移除部分该第二介电层,以形成该接触窗,并在部分该共享在线方形成该凹陷;以及
移除该图案化光阻层。
5.如权利要求4所述的主动组件数组基板的制造方法,其特征在于,形成该凹陷的步骤包括移除部分该共享线上方的该第二介电层的部分厚度。
6.如权利要求4所述的主动组件数组基板的制造方法,其特征在于,形成该凹陷的步骤包括完全移除部分该共享线上方的该第二介电层。
7.如权利要求4所述的主动组件数组基板的制造方法,其特征在于,形成该凹陷的步骤包括完全移除部分该共享线上方的该第二介电层与移除该第一介电层的部分厚度。
8.一种主动组件数组基板,依据权利要求1所述的主动组件数组基板的制造方法所制成,其特征在于该主动组件数组基板包括:
一基板;
多条扫描线,配置于该基板上;
多条数据线,配置于该基板上,其中该扫描线与该数据线在该基板上定义出多个画素区域;
多条共享线,配置于该基板上,且该共享线与该扫描线交替配置于该基板上;
多个主动组件,分别配置于该画素区域上,且各该主动组件通过由相对应的该扫描线与该数据线控制;
多个画素电极,分别配置于该画素区域上,而各该画素电极与相对应的该主动组件电性连接,且各该画素电极与相对应的该共享线耦合成一储存电容;
一第一介电层,由各该主动组件中延伸至该画素电极下方;以及
一第二介电层,覆盖该主动组件,并由该主动组件上方延伸至该画素电极下方,且该第二介电层具有多个凹陷,位于部分该共享线上方,
其中该储存电容区分为两种以上,且各该凹陷与该共享线之间的最小距离小于相对应的该主动组件中该第一介电层与该第二介电层的厚度总和。
9.如权利要求8所述的主动组件数组基板,其特征在于,各该画素区域上方的该凹陷与该共享线的重迭面积自该共享线的一端往另一端逐渐减少。
10.如权利要求8所述的主动组件数组基板,其特征在于,各该共享线具有自两侧边缘向外延伸的多条分支,且该分支与该数据线平行。
11.如权利要求8所述的主动组件数组基板,其特征在于,所述该凹陷与该共享线之间的最小距离大于该主动组件中该第一介电层的厚度。
12.如权利要求8所述的主动组件数组基板,其特征在于,所述该凹陷与该共享线之间的最小距离等于该主动组件中该第一介电层的厚度。
13.如权利要求8所述的主动组件数组基板,其特征在于,所述该凹陷与该共享线之间的最小距离小于该主动组件中该第一介电层的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





