[发明专利]发光二极管芯片的封装结构及其方法

权利要求书

1、一种发光二极管芯片的封装结构，其特征在于，包括：

基材单元，其具有基材本体及分别形成于该基材本体的正极导电轨迹与负极导电轨迹，该正极导电轨迹与该负极导电轨迹并排设置且在该基材本体上线性延伸；

发光单元，其具有多个设置于该基材本体上的发光二极管芯片，其中每一个发光二极管芯片具有正极端与负极端，并且所述发光二极管芯片的正、负极端分别以串联或者并联的方式与该正、负极导电轨迹电性连接；以及

胶体单元，其覆着于该基材单元与该发光单元上；

当该发光单元通过该正、负导电轨迹的通电而产生光线时，该光线通过该胶体单元的导引而在该胶体单元上形成连续的发光区域。

2、根据权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构，其特征在于：该基材单元为印刷电路板软基板、铝基板或陶瓷基板。

3、根据权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构，其特征在于：所述发光二极管芯片的正、负极端通过相对应的导线并以打线的方式，与该正、负极导电轨迹电性连接。

4、根据权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构，其特征在于：所述发光二极管芯片的正、负极端通过相对应的锡球并以覆晶的方式，与该正、负极导电轨迹电性相连。

5、根据权利要求4所述的发光二极管芯片的封装结构，其特征在于：该锡球以热压方式覆晶于该基板上。

6、根据权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构，其特征在于：所述发光二极管芯片以一条直线排列的方式设置于该基材单元上。

7、根据权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构，其特征在于：所述发光二极管芯片以多条直线排列的方式设置于该基材单元上。

8、根据权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构，其特征在于：每一个发光二极管芯片为蓝光发光二极管，并且该胶体单元为荧光胶体。

9、根据权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构，其特征在于：该胶体单元为环氧树脂。

10、一种发光二极管芯片的封装方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供基材单元，其中该基材单元具有基材本体及分别形成于该基材本体的正极导电轨迹与负极导电轨迹，该正极导电轨迹与该负极导电轨迹并排设置且在该基材本体上线性延伸；

设置发光单元于该基材本体上，其中该发光单元具有多个设置于该基材本体上的发光二极管芯片，每一个发光二极管芯片具有正极端与负极端，并且所述发光二极管芯片的正、负极端分别以串联或者并联的方式与该正、负极导电轨迹电性相连；及

覆着胶体单元于该基材单元与该发光单元上，以使得当该发光单元通过该正、负导电轨迹的通电而产生光线时，该光线通过该胶体单元的导引而在该胶体单元上形成连续的发光区域。

11、根据权利要求10所述的发光二极管芯片的封装方法，其特征在于：该基材单元为印刷电路板、软基板、铝基板或陶瓷基板。

12、根据权利要求10所述的发光二极管芯片的封装方法，其特征在于：所述发光二极管芯片的正、负极端通过相对应的导线并以打线的方式，与该正、负极导电轨迹电性相连。

13、根据权利要求10所述的发光二极管芯片的封装方法，其特征在于：所述发光二极管芯片的正、负极端通过相对应的锡球并以覆晶的方式，与该正、负极导电轨迹电性相连。

14、根据权利要求13所述的发光二极管芯片的封装方法，其特征在于：该锡球以热压方式覆晶于该基板上。

15、根据权利要求10所述的发光二极管芯片的封装方法，其特征在于：所述发光二极管芯片以一条直线排列的方式设置于该基材单元上。

16、根据权利要求15所述的发光二极管芯片的封装方法，其特征在于：将该基材单元切割成多条发光二极管，并且将所述发光二极管排列组合成任意形状。

17、根据权利要求10所述的发光二极管芯片的封装方法，其特征在于：所述发光二极管芯片以多条直线排列的方式设置于该基材单元上。

18、根据权利要求17所述的发光二极管芯片的封装方法，其特征在于：将该基材单元切割成多条发光二极管，并且将所述发光二极管排列组合成任意形状。